"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
Соболев М.М., Брунков П.Н., Конников С.Г., Степанова М.Н., Никитин В.Г., Улин В.П., Долбая А.Ш., Камушадзе Т.Д., Майсурадзе Р.М.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Методами Ван-дер-Пау, токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней, а также модуляционным, основанном на облучении образца пучком электронов и монохроматическим ИК светом, исследуется механизм компенсации многослойных структур на основе нелегированного GaAs, выращенного методом жидкофазной эпитаксии, в зависимости от температуры начала кристаллизации. Показано, что при Tн кр=700-800oС на p+-GaAs : Zn происходит рост n0-слоя, в компенсации которого помимо мелкой фоновой примеси принимают участие акцепторные глубокие уровни (ГУ) HL2 и HL5. При увеличении Tн кр>800oC происходит образование p+-p0-i-n0-структур, в компенсации которых наряду с акцепторными дефектами и примесями с ГУ участвуют донорные ГУ дефекта, подобного EL2. Проведенная термообработка структур в диапазоне 500-850oС показала их высокую термостабильность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.