Впервые зафиксирована фазовая чувствительность кривых угловой зависимости фотоэдс, возбужденной стоячей рентгеновской волной, а также продемонстрирована возможность изучения сложных эффектов влияния структурного несовершенства и деформации полупроводникового кристалла на его электрофизические свойства на примере (111)-дифракции СuK_alpha-излучения в кристалле кремния с диффузионным слоем фосфора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.