"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурная чувствительность кривых фотоэдс в условиях образования стоячей рентгеновской волны в полупроводнике с p-n-переходом
Ковальчук М.В., Кон В.Г., Лобанович Э.Ф.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Впервые зафиксирована фазовая чувствительность кривых угловой зависимости фотоэдс, возбужденной стоячей рентгеновской волной, а также продемонстрирована возможность изучения сложных эффектов влияния структурного несовершенства и деформации полупроводникового кристалла на его электрофизические свойства на примере (111)-дифракции СuKalpha-излучения в кристалле кремния с диффузионным слоем фосфора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.