"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние состава на электронную структуру аморфного AsxSe1-x
Шунин Ю.Н., Шварц К.К.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Электронная структура AsxSe1-x исследуется на основе представления о базисных кластерах, которые, будучи взятыми с определенным статистическим весом, определяют изучаемую композицию. Расчеты для базисных кластеров проведены на основе кластерной модели, развитой авторами в приближении когерентного потенциала. Получены оценки ширины запрещенной зоны для различных значений коэффициента стехиометрии x. Результаты расчетов сравниваются с оптическими измерениями ширины запрещенной зоны для системы АsxSe1-x. Определен кластерный состав атомной структуры при произвольном x, позволяющий обеспечить удовлетворительное согласие расчетов и эксперимента. Наиболее сложный кластерный состав характерен для 0.45 < x < 0.65.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.