"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефектные полупроводники Ga2S3 и Ga2Se3, легированные железом
Аскеров И.М., Асланов Г.К., Насрединов Ф.С., Тагиев Б.Г.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

С помощью ЯГР спектроскопии, температурных зависимостей электропроводности ТОПЗ и токов ТСД исследованы дефектные полупроводники Ga2S3 и Ga2Se3, легированные железом сверх стехиометрии в концентрациях до 1 мол% (~1020 см-3). Установлено, что железо входит в кристаллическую решетку в виде Fe2+, а изменения концентрации носителей при этом не превышают 106 см-3. В запрещенной зоне легированных железом Ga2S3 и Ga2Se3 обнаружены ловушечные уровни с концентрацией ~1012-1013 см-3. Полученные данные объясняются перезарядкой части атомов галлия в решетке (Ga3+->Ga+).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.