"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
Ковалев А.Н., Фоломин П.И., Золотов С.И.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

По результатам совместных исследований фотолюминесценции, примесной фотопроводимости и температурных зависимостей коэффициента Холла обнаружено существование глубоких уровней в запрещенной зоне нелегированного РbТе, которые обусловлены наличием собственных точечных дефектов или ассоциатов на их основе. Уровень E1=Ev+0.095+5.5·10-4 T± 5·10-3 при T<200 K, E1=Ev+0.208+1.4·10-4 (T-200)±5·10-3 эВ при T >200 K является акцепторным, а уровни E2=Ev+0.130 и E3=Ev+0.115 эВ при 80 K - донорными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.