"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гальваномагнитные явления в кристаллах n-Hg1-x-yCdxMnyTе и n-Hg1-yMnyTe с varepsilong>0
Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Боднарук О.А., Горбатюк И.Н., Раренко И.М.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

На кристаллах n-Hg1-x-yCdxMnyTe и n-Hg1-yMnyTe (160=< varepsilong=<260 мэВ) с ND-NA~1015 см-3 измерены продольное rhozz и поперечное rhoxx магнитосопротивления и коэффициент Холла R в магнитных полях H до 100 кЭ при 1.2=< T=< 300 K. На всех образцах наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза (ШГ) rhoxx, rhozz и R. Положения максимумов осцилляции ШГ зависят от T. Для кристаллов Hg1-yMnyTe положение нулевого максимума смещено в сторону больших H, что обусловлено резким (по сравнению с зонным) уменьшением суммарного g-фактора. На продольном магнитосопротивлении обнаружены магнитофононные осцилляции. Сильное смещение магнитофононных экстремумов rhozz в зависимости от T обусловлено температурной зависимостью varepsilong и матричного элемента. Изучен переход от металлической проводимости к активационной, происходящий в магнитном доле; определена энергия активации в неметаллической области. Обнаружены некоторые особенности гальваномагнитных явлений в образцах n-Hg1-yMnyTe, свидетельствующие о наличии p-типа включений в кристаллах n-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.