"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
Макаров О.А., Неизвестный И.Г., Синюков М.П., Супрун С.П., Шумский В.Н.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Выполнены измерения тока короткого замыкания (КЗ) фотодиода Ge-GaAs в зависимости от энергии фотонов в ВУФ области спектра. Благодаря использованию накопительного кольца ВЭПП-2М в качестве первичного стандарта излучения, а также предварительным измерениям эффективности дифракционной решетки монохроматора определена квантовая эффективность фотодиода в диапазоне энергий фотонов от 20 до 35 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.