"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция сверхрешеток PbS-EuS
Колесников И.В., Сипатов А.Ю.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Исследована фотолюминесценция сверхрешеток PbS-EuS на подложках (100) КС1, (111) BaF2 и пленок PbS толщиной 30/200 Angstrem на подложке (100) КС1 при 80 K. Для образцов сверхрещеток PbS-EuS с большой интенсивностью фотолюминесценции спектр описывается расчетом но модели зонной диаграммы, в которой потенциальный барьер в валентной зоне пренебрежимо мал. Необходимо учитывать накопление электронов у краев подзон размерного квантования в процессе термализации. Отклонения наблюдаемого спектра ФЛ от ожидаемого для образцов о низкой интенсивностью фотолюминесценции можно объяснить плохим кристаллическим совершенством этих образцов СР. Сдвиг края спектра фотолюминесценции пленок PbS описывается расчетом по модели прямоугольной потенциальной ямы для электронов и дырок с учетом непараболичности, форма спектра соответствует случаю рекомбинации сильно вырожденных двумерных электронов и дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.