"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование релаксации энергии и захвата носителей заряда при фотоионизации примесных центров в p-GaAs
Берегулин Е.В., Ярошецкий И.Д.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Работа посвящена изучению процессов релаксации неравновесных носителей заряда в p-GaAs при азотной температуре, когда ИК излучение вызывает генерацию носителей с примесного центра. Показано, что захват на примесный центр Zn идет с испусканием полярного оптического фонона. Определены времена внутризонной релаксации и захвата на примесь. Изучено нелинейное по интенсивности поведение фотопроводимости и линейного фотогальванического эффекта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.