"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры фоточувствительности структур Cu-CdSiP2
Медведкин Г.А., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Приведены результаты поляризационных исследований фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Сu-CdSiP2 при 300 K в области 1-4 эВ. Обсуждаются спектральные зависимости естественного фотоплеохроизма полученных диодов на основании существующей модели зонного спектра GdSiP2. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в качестве фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.