Описан эмиссионный метод определения длин свободного пробега горячих электронов в полупроводниках в диапазоне энергий varepsilon~1/4 эВ. С помощью этого метода показано, что в фосфиде индия длина свободного пробега электронов в Gamma-минимуме зоны проводимости в диапазоне энергий varepsilon=0.9/1.9 эВ не зависит от энергии и равна l_Gamma=130±25Angstrem. Полученная величина сравнивается с длиной свободного пробега, определенной из экспериментов до ударной ионизации, выполненных в других работах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.