С помощью эффекта Холла и метода ЭПР исследованы особенности процесса образования и свойства донорных центров (термодоноров), образованных в результате длительных (до 500 ч) отжигов в интервале температур 450/550^oC кристаллов n-Si<P> с различным содержанием примеси углерода, выращенных по методу Чохральского. Установлено, что после длительных отжигов происходит разрушение семейства двухзарядных термодоноров с уровнями E₁=60/70 и E₂=120/150 мэВ, но одновременно с этим образуется два набора мелких однозарядных доноров иной природы, глубина уровней которых лежит в интервале E_i=24/38 мэВ. В работе предполагается возможная природа этих центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.