Проведено комплексное исследование (с использованием электрических, электролюминесцентных методов, релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней и вторичной ионной масс-спектрометрии) инерционно-стимулированных процессов, возникающих в GaP : N-светодиодах в результате прохождения прямого тока I=5/30 мА в течение первых 2/5 мин. Показано, что нестабильность свечения СД обусловлена не процессами у контактов, а рекомбинационно-стимулированным отжигом дефектов в активной области приборов. Обнаружено, что стабильные СД содержат существенно большее количество O, C и их соединений. Предлагается возможная физическая модель исследованных процессов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.