На серии образцов нейтронно легированного Ge : Ga с компенсацией K=0.3 и содержанием N основной примеси Ga от 3.6·10¹⁴ см^-3 до концентрации N_c=2·10¹⁷см^-3, соответствующей переходу металл-изолятор, в области гелиевых температур описываются и изучаются: эффект насыщения прыжковой проводимости; закономерности режима перескоков по ближайшим состояниям и переход от него к режиму прыжков с переменной длиной, стимулируемый понижением температуры и увеличением уровня легирования. Область существования последнего из режимов оказывается существенно шире, чем считалось ранее, вплоть до границы слабого легирования N_l=2·10¹⁵ см^-3 при гелиевых температурах. Находят свое объяснение известные аномалии поведения энергии активации прыжковой проводимости и ее предэкспоненциального множителя в исследуемом материале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.