Исследованы процессы тушения и регенерации фотопроводимости, возникающие после предварительной монохроматической оптической накачки в твердых растворах кремний-германий p-типа, легированных марганцем. Данные эффекты объясняются с помощью модели глубокого дефекта, туннелирующего при перезарядке между позициями различной симметрии в решетке Si-Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.