"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами
Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Батукова Л.М., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Кунцевич Т.С., Малкина И.Г., Янькова Т.Н.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

В напряженных квантовых ямах InxGa1-xAs, выращенных на GaAs-подложке, экспериментально обнаружено поглощение ИК излучения, обусловленное переходами электронов между подзонами размерного квантования в зоне проводимости. Наблюдалась сильная зависимость поглощения от поляризации излучения. Измерения проводились в геометрии многократного внутреннего отражения. Длины волн, соответствующие максимумам поглощения, лежат в интервале от 11.5 до 13.5 мкм. Их положение объяснено в рамках модели Кейна с учетом нерезкости гетеропереходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.