Исследовано влияние облучения ионами азота с энергией ~18 МэВ на характеристики n-GaAs. Ранее такое облучение использовалось для создания вблизи зеркал GaAs/GaAlAs-лазеров областей эффективного насыщающегося поглотителя. Исследованы зависимости от дозы облучения сопротивления, кинетики спада фотопроводимости при низком уровне возбуждения и низкочастотного шума. Полученные результаты противоречат ранее высказанному предположению, что под влиянием облучения ионами в материале возникают тонкие аморфизированные цилиндры вдоль треков пробега частиц. Результаты свидетельствуют в пользу того, что основным механизмом дефектообразования в области исследованных доз 10¹⁰=<Phi=<10¹² см^-2 является генерация точечных акцепторных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.