На основе ориентированных монокристаллов p-CdSiAs₂ созданы структуры, включающие в себя гомопереход n-p-CdSiAs₂ и гетеропереход p-CdSiAs₂-n-In₂O₃. Электрические поля в указанных барьерах имеют встречное направление, что приводит к инверсии знака фототока в зависимости от энергии фотонов и положения плоскости поляризации. Обнаружено явление усиления естественного фотоплеохроизма P_i>100 %, которое наблюдается в окрестности поляризационной инверсии знака фототока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.