Проведены исследования планарных DLTS-структур на основе высокоомного n-кремния. Установлено появление ложных пиков DLTS, не связанных с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.