"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах CdxHg1-xTe
Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Маловичко Э.А.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

Исследованы особенности магнитополевых зависимостей коэффициента Холла RH и относительного магниторезистивного эффекта Deltarho/rho в эпитаксиальных пленках p-CdxHg1-xTe (x~0.21), а также в n-p-структурах, сформированных в результате механической обработки поверхности кристаллов p-CdxHo1-xTe. Экспериментально обнаружен и подтвержден теоретическим расчетом участок слабой магнитополевой зависимости Deltarho normal /rho в двухслойной n-p-структуре; определены условия появления точки перегиба на электронном участке экспериментальных зависимостей RH(B) двухслойных структур. Установлено, что благодаря большому отклонению подвижностей электронов и дырок в твердых растворах CdxHg1-xTe влияние приповерхностного n-слоя в эпитаксиальной пленке p-типа проводимости существенно даже при выполнении неравенства sigmandn<<sigmapdp (sigman,sigmap - электропроводность, dn,dp - толщина соответственно n- и p-слоев), в то время как характерный для p-CdxHg1-xTe участок насыщения M(B) и инверсия RH(B) имеют место даже при выполнении условия sigmandn>sigmapdp.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.