Развита теория фотоэлектрических и пороговых характеристик перспективных фотоприемников на основе структур Si-Si_1-xGe_x с квантовыми ямами. Конкретные расчеты проведены для диапазона 8-12 мкм. Проведено сравнение с фотоприемником на основе GaAs-Al_xGa_1-xAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.