Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около 1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. В качестве полупроводникового материала выбраны пленки эпитаксиально выращенного GaAs толщиной ~ 100 нм и с концентрацией электронов 2· 10¹⁷ см^-3, а в качестве металла - W, полученный из WO₃. Потенциальный рельеф формировался за счет образования барьера Шоттки на границе W/GaAs. Обнаружено, что при использовании метода СУА формируется заметно более высокий барьер Шоттки на контакте W с GaAs (~ 1 эВ), чем при использовании обычной технологии нанесения металла (0.8 эВ для W/GaAs). Представлены данные, свидетельствующие об отсутствии дефектной прослойки в подзатворной области структур, наиболее подвергаемой воздействию протонов. В частности, показано, что подвижность электронов в этой области совпадает с подвижностью объемного GaAs с тем же уровнем легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.