Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа

Комаров Б.А.¹

¹Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия

Поступила в редакцию: 20 октября 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследовано образование комплексов <радиационный дефект>-<остаточная примесь в кремнии>. Установлено, что термические обработки диффузионных Si p⁺-n-переходов, облученных быстрыми электронами, приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов FeVO (ловушка E_0.36) и FeV₂ (ловушка H_0.18). Формирование этих ловушек сопровождается ранней (100-175^oC) стадией отжига основных вакансионных радиационных дефектов: A-центра (VO) и дивакансии (V₂). Обнаруженные комплексы электрически активны, вводят новые электронный (E_0.36: E^e_t=E_c-0.365 эВ, sigma_n=6.8·10^-15 см²) и дырочный (H_0.18: E^h_t=E_v+0.184 эВ, sigma_p=3.0·10^-15 см²) уровни в запрещенную зону полупроводника и проявляют высокую термическую стабильность. Полагается, что наблюдавшимся ранее в литературе неизвестным дефектом с энергией E^e_t=E_c-(0.34-0.37) эВ, возникающим при отжиге облученных диффузионных Si p⁺-n-переходов, является комплекс FeVO.

B.O. Kolbensen, H. Cerva, G. Zoth. Sol. St. Phenomena, 76--77, 1 (2001)
A.A. Istratov, E.R. Weber. Appl. Phys., A66 (1), 123 (1998)
A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys., 70 (2), 489 (2000)
G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121 (4), 1001 (1961)
J.W. Corbett, G.D. Watkins, R.M. Chrenko, R.S. McDonald. Phys. Rev., 121 (4), 1051 (1961)
G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 138, A543 (1965)
L.J. Cheng, J.C. Corelli, J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev., 152, 761 (1966)
J.W. Walker, C.T. Sah. Phys. Rev. B 7 (10), 4587 (1973)
L.C. Kimerling. Inst. Phys. Conf. Ser., N 31, 221 (1977)
S.D. Brotherton, P.J. Bradley. Appl. Phys., 53 (8), 5720 (1982)
C.E. Barnes. J. Electron. Mater., 8 (4), 437 (1979)
Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, В.Д. Ткачев. Докл. АН БССР, N 11, 988 (1981)
И.Ф. Медведева, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. Вести АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 19 (1991)
Л.С. Берман, В.Б. Шуман. ФТП, 10 (9), 1755 (1976)
П.В. Кучинский, В.М. Ломако, Л.Н. Шахлевич. Письма ЖЭТФ, 45 (7), 350 (1987)
Z. You, M. Gong, J. Chen, J.W. Corbett. J. Appl. Phys., 63 (2), 324 (1988)
Б.А. Комаров, И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.Е. Гусаков, П.В. Кучинский, J.L. Lindstrom. Матер. IV межд. конф. по взаимодействию излучений с твердым телом (Минск, 2001) с. 161
G. Ferenczi, J. Boda, T. Pavelka. Phys. St. Sol. (a), 94, K119 (1986)
L.W. Song, B.W. Benson, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51 (15), 1155 (1987)
L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a). 101, K107 (1987)
P. Pellegrimo, P. Levegue, J. Lalita, A. Hallen, C. Jagadish, B.G. Svensson. Phys. Rev. B. 64, 195 211 (2001)
B.A. Komarov, V.P. Markevich, L.I. Murin, T. Sekiguchi. In: Proc. 23rd Int. Conf. Physics Semicond., ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996) p. 2593
И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров. Вопросы атомн. науки и техники. Сер. Радиац. материаловедение, 79 (2), 48 (2001)
Б.А. Комаров. Вопросы атомн. науки и техники. Сер. Радиац. материаловедение, 79 (2), 43 (2001)
А.А. Золотухин, А.К. Коваленко, Л.С. Милевский. ФТТ, 13 (10), 3119 (1971)
А.А. Лебедев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 15 (3), 612 (1981)
К.П. Абдурахманов, Б.А. Котов, Й. Крейсль, А.А. Лебедев, Ш.Б. Утамурадова. ФТП, 19 (2), 349 (1985)
S.H. Muller, G.M. Tuynman, E.G. Sieverts, C.A. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 25 (1), 25 (1982)
А.В. Васильев, С.А. Смагулова, Л.С. Смирнов. ФТП, 20 (3), 561 (1986)
V.P. Markevich, A.R. Peaker, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, J.L. Lindstrom. J. Phys.: Condens, Matter., 15, S2779 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель