Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства наноконтактов металл--полупроводник

Востоков Н.В.¹, Шашкин В.И.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены расчеты потенциала в полупроводнике вокруг сферических и цилиндрических металлических наноконтактов. Проанализированы электрические свойства наноконтактов с малыми характерными размерами a<< S (S - ширина обедненной области в плоской геометрии). Показано, что наноконтакты имеют слабую зависимость емкости от напряжения, большее, чем в плоском случае, снижение высоты барьера Шоттки за счет сил изображений, а также малую инерционность отклика до частот терагерцового диапазона.

Takhee Lee, Jia Liu, Nien-Po Chen, R.P. Andres, D.B. Janes, R. Reifenberger. J. Nanoparticle Res., 2, 345 (2000)
G.D.J. Smit, S. Rogge, T.M. Klapwijk. Appl. Phys. Lett., 81, 3852 (2002)
G.D.J. Smit, M.G. Flokstra, S. Rogge, T.M. Klapwijk. Microelectron. Eng., 64, 429 (2002)
Hideki Hasegawa, Taketomo Sato, Chinami Kaneshiro. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (4), 1856 (1999)
I. Tanaka, I. Kamiya, H. Sakaki. J. Cryst. Growth, 201/202, 1194 (1999)
Kian-Giap Gan, Jin-Wie Shi, Yen-Hung Chen, Chi-Kuang Sun, Yi-Jen Chiu, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 80, 4054 (2002)
I. Aberg, K. Deppert, M.H. Magnusson, I. Pietzonka, W. Seifert, L.-E. Wernersson, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 2976 (2002)
Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дрозодов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. Матер. совещ. Нанофотоника" (Н. Новгород, Россия, март 2003) с. 363
A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeout, D. Grischkowsky, D.T. Mclnturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal--Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель