Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатых квантовых ямах

Зерова В.Л.¹, Зегря Г.Г.², Воробьев Л.Е.¹

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 января 2004 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось влияние межподзонного электронно-электронного (e-e) и электронно-дырочного (e-h) рассеяния на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатой квантовой яме InGaAs/AlGaAs. Вычислены времена наиболее вероятных e-e и e-h процессов, влияющих на концентрации электронов на возбужденных уровнях, в диапазоне температур от 80 до 300 K. Исследованы зависимости этих времен от концентрации электронов и дырок на основных уровнях. Для двух значений неравновесных концентраций рассчитаны температурные зависимости внутризонной инверсной населенности путем решения системы скоростных уравнений. Показано, что при концентрациях электронов менее 1· 10¹² cм^-2 межподзонное e-e и e-h рассеяние слабо влияет на инверсию населенности.

W.T. Tsang. Semiconductor Injection Lasers I. In: Semiconductors and Semimetals, Light-wave Communications Technology, ed. by W.T. Tsang (Academic Press), 22 (1985)
P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 58, 4771 (1998)
A. Kastalsky, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.L. Zerova, E. Towe. IEEE J. Quant. Electron., 37, 1356 (2001)
В.Л. Зерова, Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря. ФТП, 6, 716 (2004)
Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
V.V. Mitin, V.A. Kochelap, M.A. Stroscio. Quantum heterostructures (Cambridge University Press, 1999)
S.-C. Lee, I. Galbraith. Phys. Rev. B, 55, R16025 (1997)
Б.Л. Гельмонт, Р.И. Лягущенко, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 14 (2), 533 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель