Излучательная рекомбинация в кремниевой туннельной МОП структуре
Asli N.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Seegebrecht P.1, Тягинов С.Э.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Экспериментально изучены спектры рекомбинационной люминесценции туннельных МОП структур Al / SiO2 / p-Si. Проведена математическая реконструкция спектров, учитывающая потери на перепоглощение. Впервые приводятся результаты измерений в абсолютных единицах (Вт / эВ). Показана взаимосвязь формы спектра с энергией инжектируемых электронов, задаваемой прикладываемым напряжением. Проведена оценка темпа потерь энергии на излучение фотонов. Рассмотрены проявления деградации окисла на характеристиках люминесценции МОП структур.
- Direct tunneling на сайте http: //semiconductorglossary.com /
- F. Monsieur. Abstract book of INFOS'03 (Barselona, Spain, 2003) IT-1
- H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43 (8), 1233 (1996)
- H.S. Momose, S. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (4), 691 (1998)
- М.И. Векслер, И.В. Грехов, С.А. Соловьев, А.Г. Ткаченко, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 21 (13), 81 (1995)
- E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Eng., 36, 103 (1997)
- N. Asli, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, P. Seegebrecht. Semicond. Sci. Technol., 18, 147 (2003)
- N. Asli, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, P.D. Yoder, I.V. Grekhov, P. Seegebrecht. Microelectron. Reliability, 41 (7), 1071 (2001)
- И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17 (13), 44 (1991)
- J. Bude, N. Sano, A. Yoshii. Phys. Rev. B, 45 (11), 5848 (1992)
- D.F. Edwards. In: Handbook of Optical Constants of Solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press, N. Y., 1985) p. 547
- K.R. Farmer, M.O. Andersson, O. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 58 (23), 2666 (1991)
- А.Ф. Шулекин, С.Э. Тягинов, R. Khlil, A. El Hdiy, М.И. Векслер. ФТП, 38, 753 (2004)
- N. Asli, S.V. Gastev, I.V. Grekhov, P. Seegebrecht, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Mater. Sci. Semicond. Proc., 3, 539 (2000)
- Y. Wang, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 75 (1), 313 (1994)
- Электролюминесцентные источники света, под ред. И.К. Верещагина (М., Энергоатомиздат, 1990)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.