Вышедшие номера
Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием плазмон-фононных мод
Федоров А.В.1, Баранов А.В.1
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Рассмотрен новый механизм внутризонной релаксации носителей заряда в квантовых точках, встроенных в гетероструктуру на относительно большом расстоянии от ее легированных элементов. Процесс релаксации обусловлен связью электронной подсистемы квантовой точки с плазмон-фононными возбуждениями легированных компонент гетероструктуры через электрический потенциал, индуцированный этими возбуждениями. Показано, что взаимодействие такого типа с объемными плазмон-LO-фононными модами возможно лишь благодаря их пространственной дисперсии. Проведенные оценки скоростей релаксации показали, что рассматриваемый механизм достаточно эффективен даже в случае, когда квантовые точки удалены от легированных областей гетероструктуры на расстояния вплоть до 100 нм. Если же это расстояние составляет несколько десятков нанометров, то он может стать доминирующим.