Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом карбиде кремния

Казакова Л.П.¹, Мынбаева М.Г.¹, Мынбаев К.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом измерения времени пролета определены значения дрейфовой подвижности электронов и дырок в пористом карбиде кремния, полученном поверхностной анодизацией пластин 4H-SiC n-типа проводимости. Подвижности электронов и дырок при 300 K в электрическом поле 10⁴ В/см составили mu_e=6· 10^-3 и mu_h=3· 10^-3 см²/В·с соответственно. Низкие значения подвижности объясняются захватом носителей на локализованные состояния.

A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994)
S. Zangooie, P.O.A. Persson, J.N. Hilfiker. Mater. Sci. Forum, 338--348, 537 (2000)
S. Soloviev, T. Das, T.S. Sudarshan. Electrochem. Sol. St. Lett., 6, G22 (2003)
M. Mynbaeva. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 742, 303 (2003)
W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N. Mott, E. Davis. Electronic processes in non-crystalline solids]
Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) гл. 4, с. 141
Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 609 (1997)
Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Смирнова. ФТП, 35, 609 (2001)
Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Н.Н. Смирнова. ФТП, 36, 355 (2002)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ., V.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N.Y.--London, 1970)]
M. Silver, E. Snow, D. Wesson, K. Okamoto. J. Non-Cryst. Sol., 66, 237 (1984)
P.A. Ivanov, M.G. Mynbaeva, S.E. Saddow. Semicond. Sci. Technol., 19, 319 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель