Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений при облучении alpha-частицами
Дапкус Л.1, Пожела К.1, Пожела Ю.1, Шиленас А.1, Юцене В.1, Ясутис В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 25 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Исследовано влияние облучения alpha-частицами на величину токового и оптического отклика варизонных детекторов alpha-частиц и рентгеновского излучения в системе AlxGa1-xAs/GaAs. Установлено, что снижение величины как токового, так и оптического отклика обусловлено ростом скорости безызлучательной рекомбинации при увеличении дозы облучения alpha-частицами.
- А.С. Волков. ФТП, 15, 1105 (1981)
- J. Pozela, K. Pozela, A. Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, A. Kindurys, V. Juciene. ФТП, 36, 124 (2002). [Semiconductors, 36, 116 (2002)]
- A. Silenas, J. Pozela, K.M. Smith, K. Pozela, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 487, 54 (2002)
- В.М. Андреев, В.Н. Блинов, В.А. Носенко, О.Г. Резванов, В.Н. Родионова. ФТП, 8, 1227 (1974)
- А.С. Волков, Г.В. Царенков. ФТП, 11, 1709 (1977)
- J. Pozela, K. Pozela, A. Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 460, 41 (2001)
- K. Pozela, J. Pozela, A. Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 460, 119 (2001)
- K. Pozela, J. Pozela, L. Dapkus, V. Jasutis, A. Silenas, K.M. Smith, R.A. Bendorius. Nucl. Instrum. Meth. A, 466, 58 (2001)
- W. Lu, Y.L. Ji, G.B. Chen, N.Y. Tang, X.C. Chen, S.C. Shen, Q.X. Zhao, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 83, 4300 (2003)
- A. Silenas, K. Pozela, L. Dapkus, V. Jasutis, V. Juciene, J. Pozela, K.M. Smith. Nucl. Instrum. Meth. A, 509, 30 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
