"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры
Шмидт Н.М.1, Левинштейн М.Е.1, Лундин В.В.1, Бесюлькин А.И.1, Копьев П.С.1, Rumyantsev S.L.2, Pala N.2, Shur M.S.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, CII, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy NY, USA
Поступила в редакцию: 30 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Впервые исследована корреляция между уровнем шума 1/f и степенью упорядоченности мозаичной структуры в эпитаксиальных слоях нитрида галлия. Образцы с уровнем легирования Nd-Na~ 8· 1016 см-3 и относительно высоким уровнем упорядоченности характеризовались величиной параметра Хоуге alpha~ 1.5· 10-3. Полученное значение является рекордно низким для тонких эпитаксиальных пленок GaN. Для образцов с Nd-Na~ 1.1· 1018 см-3 и низким уровнем упорядоченности параметр Хоуге был существенно выше (alpha~ 5.5· 10-3), несмотря на то что при равном уровне упорядоченности величина alpha, как правило, уменьшается с увеличением уровня легирования. Таким образом, степень упорядоченности мозаичной структуры сказывается не только на оптических и электрических, но и на флуктуационных характеристиках эпитаксиальных слоев GaN.
  1. V. Adivarahan, M. Gaevski, W.H. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M.S. Shur, R. Gaska. IEEE Trans. Electron. Dev., 24, 541 (2003)
  2. M.S. Shur, M. Asif Khan. Semicond. Semimet., 57, 407 (2002)
  3. R.J. Trew. Proc. IEEE, 90, 1032 (2002)
  4. V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, I. Adesida. IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 455 (2002).
  5. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001)
  6. F.A. Ponce. MRS Bulletin, 22, 51 (1997)
  7. N.V. Shmidt, A.G. Kolmakov, A.D. Kryzhanovsky, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov. Inst. Phys. Conf., Ser. 169, 303 (2001)
  8. А.В. Анкудинов, А.Г. Колмаков, В.В. Лундин, В.В. Ратников, Н.М. Шмидт, А.А. Ситникова, А.Н. Титков. Тез. докл. VI конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 92
  9. N.M. Shmidt, A.I. Besulkin, M.S. Dunaevsky, A.G. Kolmakov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 025 (2002)
  10. N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Titkov, A.S. Usikov. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
  11. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, R. Gaska, M. Asif Khan. IEE Proc. Circuits, Devices and Systems (Special Issue " Selected topics on noise in semiconductor devices"), 149, 32 (2002)
  12. M. Shur. GaAs devices and circuits (Plenum Press, N.Y.--London, 1987)
  13. F.N. Hooge, T.G.M. Kleinpenning, L.K.J. Vandamme. Rep. Progr. Phys., 44, 479 (1981)
  14. M.E. Levinshtein, A.A. Balandin, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices, ed. by A. Balandin (American Scientific Publishers, 2002)
  15. S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur, R. Gaska, M.E. Levinshtein, M. Asif Khan, G. Simin, X. Hu, J. Yang. Electron. Lett., 37, 720 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.