Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, CII, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy NY, USA
2Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, CII, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy NY, USA
Поступила в редакцию: 30 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Впервые исследована корреляция между уровнем шума 1/f и степенью упорядоченности мозаичной структуры в эпитаксиальных слоях нитрида галлия. Образцы с уровнем легирования Nd-Na~ 8· 1016 см-3 и относительно высоким уровнем упорядоченности характеризовались величиной параметра Хоуге alpha~ 1.5· 10-3. Полученное значение является рекордно низким для тонких эпитаксиальных пленок GaN. Для образцов с Nd-Na~ 1.1· 1018 см-3 и низким уровнем упорядоченности параметр Хоуге был существенно выше (alpha~ 5.5· 10-3), несмотря на то что при равном уровне упорядоченности величина alpha, как правило, уменьшается с увеличением уровня легирования. Таким образом, степень упорядоченности мозаичной структуры сказывается не только на оптических и электрических, но и на флуктуационных характеристиках эпитаксиальных слоев GaN.
- V. Adivarahan, M. Gaevski, W.H. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M.S. Shur, R. Gaska. IEEE Trans. Electron. Dev., 24, 541 (2003)
- M.S. Shur, M. Asif Khan. Semicond. Semimet., 57, 407 (2002)
- R.J. Trew. Proc. IEEE, 90, 1032 (2002)
- V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, I. Adesida. IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 455 (2002).
- X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001)
- F.A. Ponce. MRS Bulletin, 22, 51 (1997)
- N.V. Shmidt, A.G. Kolmakov, A.D. Kryzhanovsky, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov. Inst. Phys. Conf., Ser. 169, 303 (2001)
- А.В. Анкудинов, А.Г. Колмаков, В.В. Лундин, В.В. Ратников, Н.М. Шмидт, А.А. Ситникова, А.Н. Титков. Тез. докл. VI конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 92
- N.M. Shmidt, A.I. Besulkin, M.S. Dunaevsky, A.G. Kolmakov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 025 (2002)
- N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Titkov, A.S. Usikov. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, R. Gaska, M. Asif Khan. IEE Proc. Circuits, Devices and Systems (Special Issue " Selected topics on noise in semiconductor devices"), 149, 32 (2002)
- M. Shur. GaAs devices and circuits (Plenum Press, N.Y.--London, 1987)
- F.N. Hooge, T.G.M. Kleinpenning, L.K.J. Vandamme. Rep. Progr. Phys., 44, 479 (1981)
- M.E. Levinshtein, A.A. Balandin, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices, ed. by A. Balandin (American Scientific Publishers, 2002)
- S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur, R. Gaska, M.E. Levinshtein, M. Asif Khan, G. Simin, X. Hu, J. Yang. Electron. Lett., 37, 720 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
