"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ударно-ионизационные автосолитоны в компенсированном кремнии
Мусаев А.М.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Приводятся результаты экспериментального обнаружения и исследования автосолитонов с самопроизводством носителей заряда при ударной ионизации глубоких акцепторных уровней индия в кремнии в сильных электрических полях при температуре 77 K. В рассматриваемой модели возбуждения автосолитонов роль активатора играет концентрация свободных носителей заряда, а роль ингибитора температура носителей. Существование автосолитонов определяется тем, что область высокой концентрации носителей в центре автосолитона не расплывается вследствие того, что диффузионный поток из центра автосолитона уравновешивается термодиффузионным.
  1. Б.С. Кернер, В.В. Осипов. Автосолитоны (М., Наука, 1991)
  2. Б.С. Кернер, В.Ф. Синкевич. Письма ЖЭТФ, 36 (10), 359 (1982)
  3. В.Н. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич. ФТП, 24, 1705 (1990)
  4. А.М. Мусаев. ФТП, 33, 1183 (1999)
  5. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  6. Э.Э. Годик, Ю.А. Курицын, В.П. Синис. ФТП, 12, 351 (1978)
  7. A.E. McCombs. Int. J. Electron., 32, 361 (1972)
  8. Г. Карслоу, Д. Егер. Теплопроводность твердых тел (М., Наука, 1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.