"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Некоторые особенности диффузии Ga в порошках ZnS
Бачериков Ю.Ю.1, Ворона И.П.1, Оптасюк С.В.1, Родионов В.Е.1, Стадник А.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры электронного парамагнитного резонанса порошков ZnS, отожженных в присутствии металлического Ga с ограниченным доступом атмосферы к отжигаемым порошкам. На основании анализа спектров фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показано, что в отожженных порошках ZnS в виде примеси Ga отсутствует. Установлено, что последующий свободный доступ атмосферы к отожженному ZnS с Ga способствует активному встраиванию Ga в решетку ZnS. Предложен механизм диффузии Ga в ZnS.
  1. J.S. Prener, D.J. Weil. J. Electrochem. Soc., 103, 342 (1956)
  2. M. Aven, J.S. Prener. Physics and chemistry of II-VI compounds (N.Y., GERes. Develop. Center Schenectady, 1967)
  3. J.E. Nicholls, J.J. Davis, B.C. Cavenott. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12, 378 (1979)
  4. J.S. Prener, F.E. Williams. J. Chem. Phys., 25, 361 (1956)
  5. K. Urabe, S. Shionoya. J. Phys. Soc. Japan, 24, 543 (1968)
  6. А.Н. Георгобиани. Тр. ФИАН СССР, 59, 38 (1972)
  7. R. Grasser, A. Scharmann, W. Schwedes. Z. Phys., 20 (2), 235 (1975)
  8. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
  9. В.Ф. Харламов, Л.Ю. Фроленкова, Т.С. Рогожина. ЖТФ, 71 (10), 90 (2001)
  10. Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 43, 940 (1985)
  11. М.А. Ильина, В.Б. Гутан, А.М. Гурвич. ЖПС, 14, 838 (1971)
  12. М. Робертс, Ч. Макки. Химия поверхности раздела металл--газ (М., Мир, 1981)
  13. Ю.Г. Птушинский, В.А. Чуйков. Поверхность, 9, 5 (1992)
  14. Э. Зингуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990)
  15. Ж. Жермен. Гетерогенный катализ (М., Мир, 1961)
  16. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  17. А.П. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.Н. Михаленко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17 (8), 1329 (1981)
  18. Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980)
  19. Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)
  20. Б.А. Нестеренко, О.В. Снитко. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка. 1983)
  21. Н.К. Морозова, М.М. Веселкова. ЖПС, 29, 366 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.