Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов

Туринов В.И.¹

¹Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На фотодиодах Cd_xHg_1-xTe при исследовании туннельного тока J_t через уровни в запрещенной зоне определены их энергии залегания E_t-E_v и концентрация N_t. Практически для всех фотодиодов характерно наличие мелких акцепторных уровней с E_t-E_v=8-12 мэВ, создаваемых однозарядными вакансиями V_Hg⁺. В ряде фотодиодов были отмечены глубокие уровни E_t=E_v+0.26E_g, проявляющие себя как рекомбинационные. Были обнаружены еще и более глубокие уровни E_t=E_v+0.6E_g, которые могут вести себя и как рекомбинационные, и как глубокие ловушки с малым сечением захвата дырок.

M.A. Kinch. J. Vac. Sci. Technol., 21, 215 (1982)
E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 59, 1205 (1986)
B. Schlicht, A. Alpsancar, G. Nimtz, N.F. Schroeder. Proc. 4th Int. Conf. Physics of Narrow-Gap Semiconductors (Springer, Berlin, 1981) p. 439
R. Faston, Y. Nemirovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1245 (1990)
C.E. Jones, V. Nair, J. Lingquist, D.L. Polla. J. Vac. Sci. Technol., 21, 187 (1982)
C.E. Jones, K. James, J. Merz, R. Braunstein, M. Burd, M. Eetemadi, S. Hutton, J. Drumheller. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 131 (1985)
D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52, 5118 (1981)
D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 51, 6233 (1980)
P.K. Chakraborty. Sol. St. Electron., 34, 665 (1991)
J.Y. Wong. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 48 (1980)
W.W. Anderson, H.J. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1730 (1983)
В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 11 Лазерная техника и оптоэлектрон., 4, 61 (1989)
П.В. Бирюлин, В.И. Кошелева, В.И. Туринов. ФТП, 38, в печати (2004)
C.T. Sah. Phys. Rev., 123, 1594 (1961)
M.A. Kinch, D.D. Buss. J. Phys. Chem. Sol. Suppl 1, 32, 461 (1971)
H. Overhof. Phys. St. Sol. B, 43, 315 (1971)
E.O. Kanе. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
M.Y. Pines, O.M. Stafsudd. Infr. Phys., 20, 73 (1979)
M.A. Berding, A. Sher, A.-B. Chen. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3009 (1987)
V.A. Cotton, J.A. Wilson, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 58, 2208 (1985)
П.В. Бирюлин, В.И. Туринов, Е.Б. Якимов. ФТП, 38, 890 (2004)
M. Cutler, H.M. Bath. Proc. IRE, 45, 39 (1957)
П.В. Бирюлин, С.А. Дудко, С.А. Коновалов, Ю.А. Пелевин, В.И. Туринов. ФТП, 37, 1431 (2003)
S.P. Tobin, S. Iwasa, T. Tredwell. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 43 (1980)
T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 52, 848 (1981)
M.A. Kinch, M.J. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, 1649 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель