Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54901.9852 
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 20 сентября 2022 г.
Принята к печати: 17 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Представлены результаты экспериментального исследования и теоретического моделирования спектров фотолюминесценции растянутых Ge микромостиков с улучшенным теплоотводом от активной области. Показано, что в исследуемых структурах во всем рассмотренном диапазоне температур (от 80 до 300 K) основной вклад в сигнал фотолюминесценции микромостиков вносит сигнал, связанный с излучательными переходами из -долины в валентную зону. В работе также обсуждается влияние эффектов самопоглощения в Ge и интерференции излучения в исследуемых структурах на вид спектров фотолюминесценции Ge микромостиков. Продемонстрировано, что в отличие от свободновисящих мостиков Ge микромостики, в которых для улучшения теплоотвода реализована адгезия к нижележащим слоям, не подвергаются дополнительному растяжению при уменьшении температуры. Ключевые слова: SiGe структуры, деформация, растянутый Ge, фотолюминесценция, моделирование спектров.
- J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L.C. Kimerling, T.L. Koch, J. Michel. Opt. Express, 15, 11272 (2007)
- R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Front. Mater., 2, 52 (2015)
- C. Boztug, J.R. Sanchez-Perez, F. Cavallo, M.G. Lagally, R. Paiella. ACS Nano, 8, 3136 (2014)
- Y. Huo, H. Lin, R. Chen, M. Makarova, Y. Rong, M. Li, T.I. Kamins, J. Vuckovic, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 98, 011111 (2011)
- J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 85, 1175 (2004)
- M.J. Suess, R. Geiger, R.A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, H. Sigg. Nature Photonics, 7, 466 (2013)
- S. Bao, D. Kim, C. Onwukaeme, S. Gupta, K. Saraswat, K.H. Lee, Y. Kim, D. Min, Y. Jung, H. Qiu, H. Wang, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan, D. Nam. Nature Commun., 8, 1845 (2017)
- F.T. Armand Pilon, A. Lyasota, Y.-M. Niquet, V. Reboud, V. Calvo, N. Pauc, J. Widiez, C. Bonzon, J.-M. Hartmann, A. Chelnokov, J. Faist, H. Sigg. Nature Commun., 10, 2724 (2019)
- Y. Jung, Y. Kim, D. Burt, H.-J. Joo, D.-H. Kang, M. Luo, M. Chen, L. Zhang, C.S. Tan, D. Nam. Opt. Express, 29, 14174 (2021)
- Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 53, 1360 (2019)
- M. Virgilio, T. Schroeder, Y. Yamamoto, G. Capellini. J. Appl. Phys., 118, 233110 (2015)
- G. Grzybowski, R. Roucka, J. Mathews, L. Jiang, R.T. Beeler, J. Kouvetakis, J. Men'endez. Phys. Rev. B, 84, 205307 (2011)
- H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
- M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
- Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
- M.R. Barget, M. Virgilio, G. Capellini, Y. Yamamoto, T. Schroeder. J. Appl. Phys., 121, 245701 (2017)
- Y. Yamamoto, M.R. Barget, G. Capellini, N. Taoka, M. Virgilio, P. Zaumseil, A. Hesse, T. Schroeder, B. Tillack. Mater. Sci. Semicond. Proc., 70, 111 (2017)
- D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 491, 26 (2018)
- D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, P.A. Yunin, D.V. Shengurov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 33, 124019 (2018)
- D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 118, 145701 (2015)
- Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, В.А. Вербус, Н.С. Гусев, Е.Е. Морозова, Д.В. Шенгуров, А.Н. Яблонский, В.Я. Алешкин, А.В. Новиков. ФТП, 55, 420 (2021)
- K. Guilloy, N. Pauc, A. Gassenq, Y.-M. Niquet, J.-M. Escalante, I. Duchemin, S. Tardif, G.O. Dias, D. Rouchon, J. Widiez, J.-M. Hartmann, R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg, J. Faist, A. Chelnokov, V. Reboud, V. Calvo. ACS Photon., 3, 1907 (2016)
- A. Gassenq, S. Tardif, K. Guilloy, I. Duchemin, N. Pauc, J.-M. Hartmann, D. Rouchon, J. Widiez, Y.M. Niquet, L. Milord, T. Zabel, H. Sigg, J. Faist, A. Chelnokov, F. Rieutord, V. Reboud, V. Calvo. J. Appl. Phys., 121, 055702 (2017)
- А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, П.А. Бушуйкин, Б.А. Андреев, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, М.А. Калинников, З.Ф. Красильник. ФТП, 53, 1354 (2019)
- D.J. Paul. Phys. Rev. B, 77, 155323 (2008)
- A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius, 1994)
- C.G. van de Walle, R.M. Martin. Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986)
- D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, V.Ya. Aleshkin, P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.N. Yablonskiy, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 127, 165701 (2020)
- В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
- Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков. ФТП, 54, 685 (2020)
- R.A. Abram, G.J. Rees, B.L.H. Wilson. Adv. Phys., 27, 799 (1978)
- S.C. Jain, R.P. Mertens, R.J. van Overstraeten. Adv. Electron. and Electron Phys., 82, 197 (1991).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
