Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53956.9904

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54902.9904

Российский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс), 22-29-20181

Санкт-Петербургский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс), 13/2022

Тимошнев С.Н.

¹, Бенеманская Г.В.

², Мизеров А.М.

¹, Соболев М.С.

¹, Эннс Я.Б.

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: timoshnev@mail.ru, galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru, andreymizerov@rambler.ru, sobolev_maksim@spbau.ru, ennsjb@gmail.com

Поступила в редакцию: 31 мая 2022 г.

В окончательной редакции: 29 июля 2022 г.

Принята к печати: 24 октября 2022 г.

Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования электронной структуры эпитаксиальных слоев GaN/Si(111) и границы раздела Li/GaN/Si(111) при монослойном покрытии Li in situ в условиях сверхвысокого вакуума. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75-850 эВ. Исследованы фотоэмиссионные спектры валентной зоны и остовных уровней Ga 3d, N 1s при монослойном покрытии Li. Обнаружено, что адсорбция Li вызывает существенный спад интенсивности фотоэмиссионной линии собственного поверхностного состояния и возникновение индуцированного поверхностного состояния за счет переноса заряда между адсорбированным слоем Li и поверхностными атомами Ga. Установлено, что поверхность GaN/Si(111) имеет преимущественно Ga-полярность. Граница раздела Li/GaN/Si(111) имеет полупроводниковый характер. Ключевые слова: III-нитриды, электронная структура, граница раздела металл-GaN, фотоэлектронная спектроскопия.

M.S. Shur, R. Gaska, A. Khan. Mater. Sci. Forum, 353-356, 807 (2001)
T.J. Flack, B.N. Pushpakaran, S.B. Bayne. J. Electron. Mater., 45, 2673 (2016)
G. Li, W. Wang, W. Yang, Y. Lin, H. Wang, Z. Lin, S. Zhou. Rep. Progr. Phys., 79, 056501 (2016)
W.R.L. Lambrecht, B. Segall, S. Strite, G. Martin, A. Agarwal, H. Morkoc, A. Rockett. Phys. Rev. B, 50, 14155 (1994)
T. Strasser, C. Solterbeck, F. Starrost, W. Schattke. Phys. Rev. B, 60, 11577 (1999)
G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev. Surf. Sci., 603, 2474 (2009)
D. Yujie, C. Benkang, W. Xiaohui, Z. Junju, L. Biao, W. Meishan. Appl. Surf. Sci., 258, 7425 (2012)
M. Lozac, S. Ueda, S. Liu, H. Yoshikawa, S. Liwen, X. Wang, B. Shen, K. Sakoda, K. Kobayashi, M. Sumiya. Sci. Technol. Adv. Mater., 14, 015007 (2013)
A. Eisenhardt, S. Krischok, M. Himmerlich. Appl. Phys. Lett., 102, 231602 (2013)
D. Skuridina, D.V. Dinh, B. Lacroix, P. Ruterana, M. Hoffmann, Z. Sitar, M. Pristovsek, M. Kneissl, P. Vogt. J. Appl. Phys., 114, 173503 (2013)
R. Wasielewski, M. Grodzicki, J. Sito, K. Lament, P. Mazur, A. Ciszewski. Acta Phys. Polon. A, 132, 354 (2017)
M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Pers, J. Brona, A. Ciszewski. Appl. Surf. Sci., 304, 24 (2014)
M. Grodzicki, P. Mazur, J. Pers, J. Brona, S. Zuber, A. Ciszewski. Appl. Phys. A, 120, 1443 (2015)
C.I. Wu, A. Kahn. Appl. Surf. Sci., 162-163, 250 (2000)
F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 3042 (2000)
T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Moench. Appl. Surf. Sci., 123-124, 28 (1998)
G.V. Benemanskaya, S.А. Kukushkin, P.A. Dementev, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev, D.V. Smirnov. Solid State Commun., 271, 6 (2018)
G.V. Benemanskaya, S.N. Timoshnev, S.V. Ivanov, G.E. Frank-Kamenetskaya, D.E. Marchenko, G.N. Iluridze. JETP, 118, 600 (2014)
S.N. Timoshnev, A.M. Mizerov, G.V. Benemanskaya, S.A. Kukushkin, A.D. Buravlev. Phys. Solid State, 61, 2282 (2019)
К.Ю. Шубина, Т.Н. Березовская, Д.В. Мохов, А.М. Мизеров, Е.В. Никитина. Письма ЖТФ, 43, 47 (2017)
S.A. Kukushkin, A.M. Mizerov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, S.N. Timoshnev. Thin Sol. Films, 646, 158 (2018)
S.M. Widstrand, K.O. Magnusson, L.S.O. Johansson, E. Moons, M. Gurnett, M. Oshima. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 10, 1 (2005)
M. Grodzicki, J.-G. Rousset, P. Ciechanowicz, E. Piskorska-Hommel, D. Hommel. Appl. Surf. Sci., 493, 384 (2019)
G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, D.E. Marchenko, S.N. Timoshnev. Techn. Phys. Lett., 44, 247 (2018)
S. Timoshnev, G. Benemanskaya, G. Iluridze, T. Minashvili. Surf. Interface Anal., 52, 620 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель