Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54902.9904 
Российский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс), 22-29-20181
Санкт-Петербургский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс), 13/2022
Тимошнев С.Н.
1, Бенеманская Г.В.
2, Мизеров А.М.
1, Соболев М.С.
1, Эннс Я.Б.
1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: timoshnev@mail.ru, galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru, andreymizerov@rambler.ru, sobolev_maksim@spbau.ru, ennsjb@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 29 июля 2022 г.
Принята к печати: 24 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Проведены исследования электронной структуры эпитаксиальных слоев GaN/Si(111) и границы раздела Li/GaN/Si(111) при монослойном покрытии Li in situ в условиях сверхвысокого вакуума. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75-850 эВ. Исследованы фотоэмиссионные спектры валентной зоны и остовных уровней Ga 3d, N 1s при монослойном покрытии Li. Обнаружено, что адсорбция Li вызывает существенный спад интенсивности фотоэмиссионной линии собственного поверхностного состояния и возникновение индуцированного поверхностного состояния за счет переноса заряда между адсорбированным слоем Li и поверхностными атомами Ga. Установлено, что поверхность GaN/Si(111) имеет преимущественно Ga-полярность. Граница раздела Li/GaN/Si(111) имеет полупроводниковый характер. Ключевые слова: III-нитриды, электронная структура, граница раздела металл-GaN, фотоэлектронная спектроскопия.
- M.S. Shur, R. Gaska, A. Khan. Mater. Sci. Forum, 353-356, 807 (2001)
- T.J. Flack, B.N. Pushpakaran, S.B. Bayne. J. Electron. Mater., 45, 2673 (2016)
- G. Li, W. Wang, W. Yang, Y. Lin, H. Wang, Z. Lin, S. Zhou. Rep. Progr. Phys., 79, 056501 (2016)
- W.R.L. Lambrecht, B. Segall, S. Strite, G. Martin, A. Agarwal, H. Morkoc, A. Rockett. Phys. Rev. B, 50, 14155 (1994)
- T. Strasser, C. Solterbeck, F. Starrost, W. Schattke. Phys. Rev. B, 60, 11577 (1999)
- G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev. Surf. Sci., 603, 2474 (2009)
- D. Yujie, C. Benkang, W. Xiaohui, Z. Junju, L. Biao, W. Meishan. Appl. Surf. Sci., 258, 7425 (2012)
- M. Lozac, S. Ueda, S. Liu, H. Yoshikawa, S. Liwen, X. Wang, B. Shen, K. Sakoda, K. Kobayashi, M. Sumiya. Sci. Technol. Adv. Mater., 14, 015007 (2013)
- A. Eisenhardt, S. Krischok, M. Himmerlich. Appl. Phys. Lett., 102, 231602 (2013)
- D. Skuridina, D.V. Dinh, B. Lacroix, P. Ruterana, M. Hoffmann, Z. Sitar, M. Pristovsek, M. Kneissl, P. Vogt. J. Appl. Phys., 114, 173503 (2013)
- R. Wasielewski, M. Grodzicki, J. Sito, K. Lament, P. Mazur, A. Ciszewski. Acta Phys. Polon. A, 132, 354 (2017)
- M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Pers, J. Brona, A. Ciszewski. Appl. Surf. Sci., 304, 24 (2014)
- M. Grodzicki, P. Mazur, J. Pers, J. Brona, S. Zuber, A. Ciszewski. Appl. Phys. A, 120, 1443 (2015)
- C.I. Wu, A. Kahn. Appl. Surf. Sci., 162-163, 250 (2000)
- F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 3042 (2000)
- T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Moench. Appl. Surf. Sci., 123-124, 28 (1998)
- G.V. Benemanskaya, S.А. Kukushkin, P.A. Dementev, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev, D.V. Smirnov. Solid State Commun., 271, 6 (2018)
- G.V. Benemanskaya, S.N. Timoshnev, S.V. Ivanov, G.E. Frank-Kamenetskaya, D.E. Marchenko, G.N. Iluridze. JETP, 118, 600 (2014)
- S.N. Timoshnev, A.M. Mizerov, G.V. Benemanskaya, S.A. Kukushkin, A.D. Buravlev. Phys. Solid State, 61, 2282 (2019)
- К.Ю. Шубина, Т.Н. Березовская, Д.В. Мохов, А.М. Мизеров, Е.В. Никитина. Письма ЖТФ, 43, 47 (2017)
- S.A. Kukushkin, A.M. Mizerov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, S.N. Timoshnev. Thin Sol. Films, 646, 158 (2018)
- S.M. Widstrand, K.O. Magnusson, L.S.O. Johansson, E. Moons, M. Gurnett, M. Oshima. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 10, 1 (2005)
- M. Grodzicki, J.-G. Rousset, P. Ciechanowicz, E. Piskorska-Hommel, D. Hommel. Appl. Surf. Sci., 493, 384 (2019)
- G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, D.E. Marchenko, S.N. Timoshnev. Techn. Phys. Lett., 44, 247 (2018)
- S. Timoshnev, G. Benemanskaya, G. Iluridze, T. Minashvili. Surf. Interface Anal., 52, 620 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
