Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронографическое исследование температурно-временных зависимостей кристаллизации нанотолщинных аморфных пленок CuIn5Te8, сублимированных в обычных условиях и в условиях воздействия внешнего электрического поля
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54899.9854 
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Email: Uli200909@rambler.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 21 июля 2022 г.
Принята к печати: 5 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Методом электронографического структурного анализа исследованы процессы кристаллизации аморфных пленок CuIn5Te8, полученные в обычных условиях и в условиях воздействия внешнего электрического поля напряженностью 500 В · см-1. Построены изотермические кривые фазовых переходов и определены кинетические параметры фазовых превращений: установлены мерности роста кристаллов и значения активационных энергий. Показано, что при кристаллизации аморфных пленок CuIn5Te8 скорости зародышеобразования и дальнейшего их роста следуют соотношениям Аррениуса. Ключевые слова: электронографический структурный анализ, тонкие пленки, изотермы кристаллизации, энергия активации.
- N. Frangis, G. van Tendeloo, C. Manolikas, J. van Landuyt, S. Amelinckx. J. Solid State Chem., 61 (3), 369 (1986)
- C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, E. Hernandez, J.M. Delgado, J. Galibert. J. Appl. Phys., 88, 3439 (2000)
- C. Rincon, S.M. Wasim, R. Marquez, I.A.N. Rojas, G. Marin, E. Hernandez, J. Galibert. J. Phys. Chem. Solids, 63 (4), 581 (2002)
- И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Е.И. Теруков, А.М. Ковальчук. ФТП, 45 (5), 617 (2011)
- O. Yarema, M. Yarema, W.M.M. Lin, V. Wood. Chem. Commun., 52, 10878 (2016)
- D. Ni, L.T. Nquyen, E.S. Feverston, R. Zhong, R.J. Cava. J. Solid State Chem., 292, 121752 (2020)
- А.Н. Колмогоров. Изв. АН СССР. Сер. мат., 3, 355 (1937)
- M. Avrami. J. Chem. Phys., 7 (12), 1103 (1939)
- Н.Н. Сирота. Состояние и проблемы теории кристаллизации. Кристаллизация и фазовые переходы (Минск, Изд-во АН БССР, 1962) с. 11
- В.З. Беленкий. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации (М., Наука, 1980) с. 186
- Д.М. Хейкер. Ренгеновская дифрактометрия (М., Наука, 1963) с. 272
- Я.С. Уманский. Ренгенография металлов и полупроводников (М., Наука, 1969) с. 379
- Г.А. Эфендиев, Р.Б. Шафизаде. ПТЭ, 1, 142 (1963)
- Г.Е. Дашдамирова, Э.Б. Аскеров, Д.И. Исмаилов. ФТП, 56 (3), 297 (2022)
- Г.Е. Дашдамирова, Э.Б. Аскеров, Д.И. Исмаилов. ФТП, 56 (5), 447 (2022)
- Б.К. Вайнштейн. Структурная электронография (М., АН ССР, 1956)
- А.Ч. Мамедова, Н.К. Керимова, Д.И. Исмаилов, С.М. Багирова, А.М. Нуриева. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2, 62 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
