[!t] = 15 апреля 2022 года на 90-м году жизни скончался Владимир Иванович Иванов-Омский, выдающийся ученый и организатор науки, прекрасный человек, наш коллега, учитель и друг. Владимир Иванович родился 19 декабря 1932 г. в Волгограде. В 1955 г. он с отличием окончил химический факультет Ленинградского государственного университета по специальности "физическая химия". По окончании ЛГУ Владимир Иванович был направлен в аспирантуру Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР, где под руководством своих учителей Б. Т. Коломийца и Н. А. Горюновой приступил к исследованию полупроводниковых материалов. С тех пор вся его жизнь была неразрывно связана с ФТИ, где он вначале руководил сектором электронных явлений в полуметаллах, а затем, долгие годы, лабораторией фотоэлектрических явлений в полупроводниках. В научных кругах Владимир Иванович известен прежде всего своими работами в области физики узкощелевых и бесщелевых полупроводников и отрицательной люминесценции. Широкое признание получили и результаты проводившихся им в последние годы исследований структуры нанокомпозитов на основе аморфного углерода и особенностей электронных и оптических явлений в них, а также физики воды и различных биообъектов, включая древесину и ткани человека. За цикл работ по обнаружению и исследованию отрицательной люминесценции Владимир Иванович был удостоен премии им. Я. И. Френкеля, а за открытие и исследование свойств бесщелевых и узкощелевых полупроводников он стал лауреатом Государственной премии СССР. В своей деятельности В. И. Иванов-Омский уделял время не только фундаментальным исследованиям; много времени и сил он отдавал и прикладным работам, - под его руководством разрабатывалась отечественная технология инфракрасных фотоприемников на основе твердых растворов теллуридов кадмия-ртути. Владимир Иванович - заслуженный деятель науки и техники Российской Федерации, доктор физико-математических наук, профессор. Долгие годы и до последних дней своей жизни он был членом редколлегии журнала "Физика и техника полупроводников". На протяжении ряда лет он был редактором журнала Semiconductor Science and Technology, организовал региональное отделение редакции этого журнала в ФТИ. Много внимания В. И. Иванов-Омский уделял подготовке молодых специалистов, более 25 лет он читал курс общей физики студентам материаловедческих специальностей Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Им были разработаны курсы лекций по общей физике и физике твердого тела для технических факультетов университета и по физике воды для гидротехнического факультета. В течение нескольких десятилетий и до самой своей кончины Владимир Иванович был бессменным членом Диссертационных советов ФТИ по специальности "физика полупроводников". В общей сложности В. И. Ивановым-Омским было опубликовано около 400 научных статей. Под его научным руководством защищено 44 кандидатских диссертации, среди его учеников 14 докторов наук. Владимир Иванович работал в ведущих научных учреждениях Франции, Польши, Великобритании, Германии, а также в Японии и Канаде и везде пользовался большим уважением коллег; до последних дней он работал над совместным проектом с Университетом западного Онтарио в Канаде. В. И. Иванов-Омский был действительным членом Европейской академии наук и искусств в Зальцбурге, почетным доктором (Doctor honoris causa) Тираспольского государственного университета (Республика Молдова) и Дрогобычского педагогического института им. И. Я. Франко (Украина). Светлая память о В. И. Иванове-Омском навсегда сохранится в сердцах его коллег, учеников и друзей. Друзья, коллеги, ученики ≤fteqn Редколлегия журнала Физика и техника полупроводников"

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.