Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54908.9926 
Минобрнауки России, "Приоритет 2030", СП/ПОПР-1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a_afanasjev@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 3 августа 2022 г.
Принята к печати: 12 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Исследована возможность повышения чувствительности 4H-SiC p+-n-n+-фотодиодов путем варьирования толщины p+-приемной области методом реактивного ионно-плазменного травления. Показано, что утонение верхнего эпислоя мезаэпитаксиального фотодиода этим методом с использованием в качестве маски металла контактов позволяет управлять как максимальной чувствительностью, так и спектральной зависимостью чувствительности фотодиодов. При этом не наблюдается заметного ухудшения темновых электрических характеристик. Ключевые слова: 4H-SiC, p+-n-n+-фотодиод, УФ-диапазон, p+-слой, РИПТ, чувствительность.
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)
- A. Sciuto, M. Mazzillo, S. Di Franco, F. Roccaforte, G. D'Arrigo. IEEE Photonics J., 7, 6801906 (2015)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов. ЖТФ, 78, 86 (2008)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, Н.М. Коровкина, А.Ю. Савенко. Письма ЖТФ, 31, 1 (2005)
- Z. Wu, X. Xin, Feng Yan, Jian Hui Zhao. Mater. Sci. Forum, 457-460, 1491 (2004)
- IFW Optronics, GmbH --- www.ifw-optronics.de
- M. Zhang, K. Wang, H. Jiang, R. Hong, Z. Wu. Electron. Lett., 52, 1474 (2016)
- H.Y. Cha, P.M. Sandvik. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 423 (2008)
- Y. Hou, C. Sun, J. Wu, R. Hong, J. Cai, X. Chen, D. Lin, Z. Wu. Electron. Lett., 55, 216 (2019)
- C. Matthus, A. Burenkov, T. Erlbacher. Mater. Sci. Forum, 897, 622 (2017)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.В. Серков, Д.А. Чигирев. ФТП, 56, 606 (2022)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, С.А. Решанов, А.А. Романов, К.А. Сергушичев, А.В. Серков, Д.А. Чигирев. Нано- и микросистемная техника, 18 (5), 331 (2016)
- T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (Singapore, John Wiley \& Sons, Inc., 2014)
- A.V. Afanasyev, B.V. Ivanov, V.A. Ilyin, A.F. Kardo-Sysoev, M.A. Kuznetsova, V.V. Luchinin. Mater. Sci. Forum, 740-742, 1010 (2013)
- Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, В.П. Белик, А.В. Николаев, В.В. Забродский. Письма ЖТФ, 42, 73 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
