Вышедшие номера
Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Научно-технологическое развитие Российской Федерации, 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)
Петрушков М.О. 1, Путято М.А. 1, Васев А.В. 1, Абрамкин Д.С. 1,2, Емельянов Е.А. 1, Лошкарев И.Д. 1, Комков О.С. 3, Фирсов Д.Д. 3, Преображенский В.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maikdi@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, demid@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, idl@isp.nsc.ru, okomkov@yahoo.com, d.d.firsov@gmail.com, pvv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 13 сентября 2022 г.
Принята к печати: 13 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки GaSb на подложках Si(001), отклоненных на 6o к плоскости (111). Пленки формировались на переходных слоях AlSb(001)/Al/As/Si, AlSb(001)/Al/As/Si, GaSb(001)/Ga/P/Si и GaSb(001)/P/Ga/Si. Исследовано влияние ориентации, состава и условий формирования переходных слоев на кристаллическое совершенство и оптические свойства пленок GaSb. Лучшими структурными и оптическими свойствами обладает пленка GaSb, выращенная на переходном слое GaSb(001)/Ga/P/Si(001). Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaSb на Si(001), кристаллографическая ориентация пленки, переходные слои, антифазные домены, кристаллическое совершенство.