Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 10 » Статья стр. 980
<<<>>>
Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53960.9954
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54906.9954
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Научно-технологическое развитие Российской Федерации, 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)
Петрушков М.О. 1, Путято М.А. 1, Васев А.В. 1, Абрамкин Д.С. 1,2, Емельянов Е.А. 1, Лошкарев И.Д. 1, Комков О.С. 3, Фирсов Д.Д. 3, Преображенский В.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maikdi@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, demid@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, idl@isp.nsc.ru, okomkov@yahoo.com, d.d.firsov@gmail.com, pvv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 13 сентября 2022 г.
Принята к печати: 13 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки GaSb на подложках Si(001), отклоненных на 6o к плоскости (111). Пленки формировались на переходных слоях AlSb(001)/Al/As/Si, AlSb(001)/Al/As/Si, GaSb(001)/Ga/P/Si и GaSb(001)/P/Ga/Si. Исследовано влияние ориентации, состава и условий формирования переходных слоев на кристаллическое совершенство и оптические свойства пленок GaSb. Лучшими структурными и оптическими свойствами обладает пленка GaSb, выращенная на переходном слое GaSb(001)/Ga/P/Si(001). Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaSb на Si(001), кристаллографическая ориентация пленки, переходные слои, антифазные домены, кристаллическое совершенство.
  1. A. Joullie, P. Christol. Comptes Rendus Physique, 4 (6), 621 (2003)
  2. M. Razeghi, A. Haddadi, A.M. Hoang, E.K. Huang, G. Chen, S. Bogdanov, S.R. Darvish, F. Callewaert, R. McClintock. Infr. Phys. Technol., 59, 41 (2013)
  3. A. Nainani, T. Irisawa, Z. Yuan, B.R. Bennett, J. Brad Boos, Y. Nishi, K.C. Saraswat. IEEE Trans. Electron Dev., 58, 3407 (2011)
  4. G. Brammertz, Y. Mols, S. Degroote, V. Motsnyi, M. Leys, G. Borghs, M. Caymax. J. Appl. Phys., 99 (9), 093514 (2006)
  5. K. Mukherjee, C.H. Reilly, P.G. Callahan, G.G.E. Seward. J. Appl. Phys., 123 (16), 165701 (2018)
  6. M. Kawabe, T. Ueda. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (4), L285 (1986)
  7. T. Ueda, S. Nishi, Y. Kawarada, M. Akiyama, K. Kaminishi. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (9), L789 (1986)
  8. D.E. Aspnes, J. Ihm. Phys. Rev. Lett., 57 (24), 3054 (1986)
  9. T. Sakamoto, G. Hashiguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (1) L78(1986)
  10. D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 59 (15), 1691 (1987)
  11. T. Nakayama, Y. Tanishiro, K. Takayanagi. Jpn. J. Appl. Phys., 26 (4), L280 (1987)
  12. R.D. Bringans, D.K. Biegelsen, L.E. Swartz. Phys. Rev. B, 44 (7), 3054 (1991)
  13. P.R. Pukite, P.I. Cohen. Appl. Phys. Lett., 50 (24), 1739 (1987)
  14. R.S. Becker, T. Kutsner, J.S. Vicker. J. Microsc., 152 (1), 157 (1988)
  15. T. Ide. Phys. Rev. B, 51 (3), 1722 (1995)
  16. M.D. Jackson, F.M. Leibsle, R.J. Cole, D.A.C. Gregory, D.A. Woolf, P. Weightman. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (4), 2424 (1996)
  17. T.R. Ohno, E.D. Williams. J. Vac. Sci. Technol. B, 8 (4), 874 (1990)
  18. J. Gryko, R.E. Allen. MRS Online Proceedings Library (OPL), 280, 65 (1993)
  19. J. Nogami, A.A. Baski, C.F. Quate. Appl. Phys. Lett., 58 (5), 475 (1991)
  20. Y.W. Mo. Phys. Rev. B, 48 (23), 17233 (1993)
  21. H.B. Elswijk, E.J. van Loenen. Ultramicroscopy, 42, 884 (1992)
  22. B. Garni, I.I. Kravchenko, C.T. Salling. Surf. Sci., 423 (1), 43 (1999)
  23. P. Sen, B.C. Gupta, I.P. Batra. Phys. Rev. B, 73 (8), 085319 (2006)
  24. Y. Wang, X. Chen, R.J. Hamers. Phys. Rev. B, 50 (7), 4534 (1994)
  25. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  26. M. Niehle, J.B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, A. Trampert. Phys. Status Solidi (RRL), 13 (10), 1900290 (2019)
  27. Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.К. Гутаковский, В.А. Селезнев, А.П. Василенко, Д.С. Абрамкин, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, N. Zhicuan, N. Haiqiao. Автометрия, 50 (3), 13 (2014)
  28. M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, D.F. Feklin, N.A. Pakhanov, E.A. Emelianov, S.I. Chikichev. Semicond. Sci. Technol., 24 (5), 055014 (2009)
  29. R. Machida, R. Toda, S. Fujikawa, S. Hara, I. Watanabe, H.I. Fujishiro. Phys. Status Solidi B, 253 (4), 648 (2016)
  30. K. Akahane, N. Yamamoto, S. Gozu, A. Ueta, N. Ohtani. J. Cryst. Growth, 283 (3--4), 297 (2005)
  31. S.H. Vajargah, S. Ghanad-Tavakoli, J.S. Preston, R.N. Kleiman, G.A. Botton. J. Appl. Phys., 114 (11), 113101 (2013)
  32. H.S. Kim, Y.K. Noh, M.D. Kim, Y.J. Kwon, J.E. Oh, Y.H. Kim, J.Y. Lee, S.G. Kim, K.S. Chung. J. Cryst. Growth, 301, 230 (2007)
  33. М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.П. Василенко, В.В. Преображенский. Изв. вузов. Физика, 53 (9/2), 293 (2010)
  34. A.I. Luferau, D.D. Firsov, O.S. Komkov. J. Phys.: Conf. Ser., 1400 (6), 066035 (2019)
  35. D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 49 (28), 285108 (2016)
  36. W. Jakowetz, W. Ruhle, K. Breuninger, M. Pilkuhn. Phys. Status Solidi A, 12 (1), 169 (1972)
  37. A. Georgakilas, J. Stoemenos, K. Tsagaraki, P. Komninou, N. Flevaris, P. Panayotatos, A. Christou. J. Mater. Res., 8 (8), 1908 (1993)
  38. P. Gay, P.B. Hirsch, A. Kelly. Acta Metallurgica, 1 (3), 315 (1953)
  39. V.M. Kaganer, O. Brandt, A. Trampert, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 72 (4), 045423 (2005)
  40. A. Letoublon, W. Guo, C. Cornet, A. Boulle, M. Veron, A. Bondi, O. Durand, T. Rohel, O. Dehaese, N. Chevalier, N. Bertru, A. Le Corre. J. Cryst. Growth, 323 (1), 409 (2011)
  41. W. Guo, A. Bondi, C. Cornet, A. Letoublon, O. Durand, T. Rohel, S. Boyer-Richard, N. Bertru, S. Loualiche, J. Even, A. LeCorre. Appl. Surf. Sci., 258 (7), 2808 (2012)
  42. M. Niehle, J.B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, A. Trampert. Acta Mater., 143, 121 (2018)
  43. C.S.C. Barrett, A. Atassi, E.L. Kennon, Z. Weinrich, K. Haynes, X.-Y. Bao, P. Martin, K.S. Jones. J. Mater. Sci., 54 (9), 7028 (2019)
  44. A.C. Lin, M.M. Fejer, J.S. Harris. J. Cryst. Growth, 363, 258 (2013)
  45. R.M. Tromp, A.W.D. van der Gon, M.C. Reute. Phys. Rev. Lett., 68 (15), 2313 (1992)
  46. J. Wasserfall, W. Ranke. Surf. Sci., 315 (3), 227 (1994)
  47. M.L. Yu, D.J. Vitkavage, B.S. Meyerson. J. Appl. Phys., 59 (12), 4032 (1986)
  48. Z. Wang, H. Guo, S. Shao, M. Saghayezhian, J. Li, R. Fittipaldi, A. Vecchione, P. Siwakoti, Y. Zhu, J. Zhang, E.W. Plummer. PNAS, 115 (38), 9485 (2018)
  49. R.L. Schwoebel. J. Appl. Phys., 40 (2), 614 (1969)
  50. Y. Horikoshi, H. Yamaguchi, F. Briones, M. Kawashima. J. Cryst. Growth, 105 (1--4), 326 (1990)
  51. Y. Li, L.J. Giling. J. Cryst. Growth, 163 (3), 203 (1996)
  52. A.C. Lin, M.M. Fejer, J.S. Harris. J. Cryst. Growth, 363, 258 (2013)
  53. S.Y. Woo, S. Hosseini Vajargah, S. Ghanad-Tavakoli, R.N. Kleiman, G.A. Botton. J. Appl. Phys., 112 (7), 074306 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme