Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46228.8720

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090105

Окулич Е.В.¹, Окулич В.И.², Тетельбаум Д.И.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский институт управления --- филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия Nizhny Novgorod Institute of Management—Branch of the Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Nizhny Novgorod Institute of Management—Branch of the Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Email: victorokulich@mail.ru

Поступила в редакцию: 14 декабря 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Выполнены численные расчеты кинетики накопления точечных дефектов - вакансий и дивакансий при облучении кремния ионами с массами M₁≤ 31 а.е.м. и энергиями E≤100 кэВ при различных условиях облучения. Использована ранее предложенная диффузионно-коагуляционная модель, но без сделанного при ее аналитической реализации приближения "слабой диффузии". Проанализированы основные особенности зависимостей концентраций вакансий и дивакансий от дозы, плотности ионного тока и температуры при облучении. Дана физическая интерпретация полученных результатов. Разработанный вычислительный комплекс является достаточно гибким, позволяя путем вариации входных параметров модели анализировать их влияние, а также при необходимости включать в рассмотрение дополнительные процессы.

D.M. Paolillo. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 365, 283 (2015)
Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. ФТП, 9 (12), 2292 (1975)
N.P. Morozov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 37 (1), 57 (1976)
А.И. Титов, А.Ю. Азаров, В.С. Беляков. ФТП, 37 (3), 358 (2003)
K. Nordlund. Comput. Mater. Sci., 3, 448 (1995)
F.G. Djurabekova, L. Malerba, C. Domain, C.S. Becquart. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 255 (1), 47 (2007)
L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla. J. Appl. Phys., 96 (11), 5947 (2004)
A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 119, 491 (1996)
O.W. Holland, S.J. Pennocook, L. Albert Gerald. Appl. Phys. Lett., 55 (24), 2503 (1989)
T.R. Waite. Phys. Rev., 107 (2), 463 (1957)
T.R. Waite. J. Chem. Phys., 28 (1), 103 (1958)
N.P. Morozov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 51 (2), 629 (1979)
J.F. Ziegler, M.D. Ziegler. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268 (11-12), 1818 (2010)
А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Тёмкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985)
W. Eckstein. Computer Simulation of Ion-Solid Interactions (Berlin, Springer Verlag, 1991)
P. Sigmund. App. Phys. Lett., 14, 114 (1969)
M.T. Robinson, I.M. Torrens. Phys. Rev. B, 9 (12), 5008 (1974)
S. Wolfram. "Mathematica" A system for Doing Mathematics by Computer (Addison-Wesley Publishing Company, 1991)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
С.Н. Ершов, В.А. Пантелеев, С.Н. Нагорных, В.В. Черняховский. ФТТ, 19 (1), 322 (1977)
E. Holmstrom, A. Kuronen, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 78, 045202 (2008)
V.L. Vinetski, T.R. Entinson, G.A. Kholodar. Phys. Status Solidi A, 67 (2), 477 (1981)
K. Nordlund, A.E. Sand, F. Granberg, S.J. Zinkle, R. Stoller, R.S. Averback, T. Suzudo, L. Malerba, F. Banhart, W.J. Weber, F. Willaime, S. Dudarev, D. Simeone. Primary Radiation Damage in Materials (OECD, 2015)
В.И. Окулич. Автореф. канд. дис. (Горький, ГГУ, 1976)
В.К. Васильев, Н.П. Дикий, Е.П. Зорин, П.П. Матяш, П.В. Павлов, Н.А. Скакун, Д.И. Тетельбаум. ФТТ, 16 (4), 1064 (1974)
Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
А.И. Баранов. ФТП, 18 (12), 2177 (1984)
J.F. Gibbons. Proc. IEEE, 9, 1062 (1972)
L. Pelaz, L.A. Marques, M. Aboy, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 82 (13), 2038 (2003)
Б.Л. Оксенгендлер, Н.Н Тураева, С.Е. Максимова, Ф.Г. Джурабекова. ЖЭТФ, 138 (3), 469 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель