"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010219
Штром И.В.1,2, Сибирев Н.В.3,4, Убыйвовк Е.В.3,5, Самсоненко Ю.Б.1,2, Хребтов А.И.1, Резник Р.Р.1,2,5, Буравлев А.Д.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: igorstrohm@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45310.27
  1. S. Assali, I. Zardo, S. Plissard, D. Kriegner, M.A. Verheijen, G. Bauer, A. Meijerink, A. Belabbes, F. Bechstedt, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers. Nano Lett., 13, 1559 (2013)
  2. M.E. Reimer, G. Bulgarini, N. Akopian, M. Hocevar, M. Bouwes Bavinck, M.A. Verheijen, E.P.A.M. Bakkers, L.P. Kouwenhoven, V. Zwiller. Nature Commun., 3, 737 (2012)
  3. Г.Э. Цырлин, И.В. Штром, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, И.П. Сошников. ФТП, 50 (11), 1441 (2016)
  4. N. Akopian, G. Patriarche, L. Liu, J.-C. Harmand, V. Zwiller. Nano Lett., 10 (4), 1198 (2010)
  5. F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146101 (2007)
  6. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, Н.В. Сибирёв, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen. Письма ЖТФ, 34 (12), 88 (2008)
  7. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Rev. B, 78, 235301 (2008)
  8. М.В. Назаренко, Н.В. Сибирёв, В.Г. Дубровский. ЖTФ, 81 (2), 153 (2011)
  9. Н.В. Сибирёв, М.А. Тимофеева, A.Д. Большаков, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. ФТТ, 52 (7), 1428 (2011)
  10. V.G. Dubrovskii, J. Grecenkov. Cryst. Growth Des., 15 (1), 340 (2015)
  11. X. Ren, H. Huang, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, M.V. Nazarenko, A.D. Bolshakov, X. Ye, Q. Wang, Y. Huang, X. Zhang, J. Guo, X. Liu. Semicond. Sci. Technol., 26 (1), 014034 (2011)
  12. S. Lehmann, J. Wallentin, D. Jacobsson, K. Deppert, K.A. Dick. Nano Lett., 13 (9), 4099 (2013)
  13. V.G. Dubrovskii. Appl. Phys. Lett., 104 (5), 53110 (2014)
  14. K.A. Dick, C. Thelander, L. Samuelson, P. Caroff. Nano Lett., 10 (20), 3494 (2010)
  15. J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson. Cryst. Growth Des., 9 (2), 766 (2009)
  16. S. Lehmann, D. Jacobsson, K. Deppert, K. Dick. Nano Res., 5 (7), 470 (2012)
  17. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
  18. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11 (3), 1247 (2011)
  19. Н.В. Сибирев, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. Письма ЖТФ, 38 (5), 41 (2012)
  20. K.A. Dick, Z. Geretovszky, A. Mikkelsen, L.S. Karlsson, E. Lundgren, J.-O. Malm, J.N. Andersen, L. Samuelson, W. Seifert. Nanotechnology, 17 (5), 1344 (2006)
  21. K.A. Dick, K. Deppert, L.S. Karlsson, W. Seifert, L.Reine Wallenberg, L. Samuelson. Nano Lett., 6 (12), 2842 (2006)
  22. S. Assali, J. Greil, I. Zardo, A. Belabbes, M.W.A. de Moor, S. Koelling, P.M. Koenraad, F. Bechstedt, E.P.A.M. Bakkers, J.E.M. Haverkort. J. Appl. Phys., 120, 044304 (2016)
  23. P.J. Dean. Prog. Solid State Chem., 8, 1 (1973)
  24. P.J. Dean. Phys. Rev., 157, 655 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.