Вышедшие номера
Общее количество статей:
10725
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
21
Распределение количества просмотров по годам:
729398
683417
657986
586171
505641
489194
448787
398177
483275
605844
600317
549059
547709
553647
536346
556678
579628
587537
512694
543035
509346
649175
659533
646370
619292
667416
674756
648640
620574
592867
493566
384911
246119
129693
39779
1243
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
101
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
238
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
28

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2023 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Басалаев Ю.М.
Российский государственный аграрный университет --- МСХА им. К.А. Тимирязева, Москва, Россия
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Дугинова Е.Б.
Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева, Кемерово, Россия
1
Басалаева О.Г.
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Борздов В.М.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Борздов А.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Василевский Ю.Г.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Пашковский А.Б.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Богданов С.А.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Лапин В.Г.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Лукашин В.М.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Карпов С.Н.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Рогачев И.А.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Терешкин Е.В.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Позднякова В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сорокина С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Потапович Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Закгейм А.Л.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Климов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кунков Р.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лухмырина Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Черняков А.Е.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Токарев А.С.
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Лапшина О.А.
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Козырев А.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Бабичев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Комаров С.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Ткач Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Гладышев А.Г.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Карачинский Л.Я.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ушанов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Касаткин И.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Петрушков М.О.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Васев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Cемягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пархоменко Я.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалимова М.Б.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Белянина И.В.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Ташметов М.Ю.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Махкамов Ш.М.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Умарова Ф.Т.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Нормуродов А.Б.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Сулайманов Н.Т.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Хугаев А.В.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Холмедов Х.М.
Ташкентский университет информационных технологий им. аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан
1
Likhachev K.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
Uchaev M.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Breev I.D.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Ankudinov A.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Babunts R.A.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Baranov P.G.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Kidalov S.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Chetibi L.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Hamana D.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Achour S.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Gupta Prateek
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Joshi Bhubesh C.
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Булярский С.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Белов В.С.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Гусаров Г.Г.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Лакалин А.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Литвинова К.И.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Орлов А.П.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Российский государственный аграрный университет --- МСХА им. К.А. Тимирязева, Москва, Россия
1
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева, Кемерово, Россия
1
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
1
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Ташкентский университет информационных технологий им. аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан
1
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1