Вышедшие номера
Общее количество статей:
10909
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
70
Распределение количества просмотров по годам:
930116
869920
839520
748012
645609
617731
566124
502661
604570
754773
749322
689074
690515
693843
672378
695783
720949
735738
641607
674379
632534
803574
816620
787819
758562
814149
824240
788865
762112
750112
656019
549460
389614
260314
160004
47961
7682
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
348
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2023 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Комков О.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Игнатьев И.В.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданов С.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Комаров С.Д.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Радищев Д.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Дашков А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Горай Л.И.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Автономная некоммерческая организация высшего образования Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС", Санкт-Петербург, Россия
2
Костромин Н.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Буравлёв А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дьяков С.А.
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жолудев М.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Янцер А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Глуховской Е.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Вячеславова Е.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Илькив И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербин С.Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Andre R.
Universite Grenoble Alpes, CNRS, Institut Neel, Grenoble, France
2
Мухин И.С.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Стецюра С.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Ружевич М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Багаев Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Алексеев П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Лапин В.Г.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Лукашин В.М.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Карпов С.Н.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Лухмырина Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Петрушков М.О.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Васев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Нормуродов А.Б.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Сулайманов Н.Т.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Хугаев А.В.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Achour S.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Gupta Prateek
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Joshi Bhubesh C.
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Булярский С.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Николаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
1
Бутенко П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чикиряка А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Денисов К.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колодезный Е.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Жарова Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Захаров В.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Архипова Е.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кукушкин Ю.В.
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Шандыба Н.А.
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
1
Солодовник М.С.
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
1
Кумар Рави
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Яроцкая И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Корнышов Г.О.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Журкин В.С.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Божко А.Д.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Кудрявцев О.С.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Елисеев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колобкова Е.В.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Гавриков М.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Барышев В.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Егорова Е.Д.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Малкин А.М.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Касымов Ф.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Кодиров Н.У.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Исомиддинова У.М.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Уваров А.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Баранов А.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Калинников М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Абросимов Н.В.
Leibniz-Institut fur Kristallzuchtung (IKZ), Berlin, Germany
1
Чукеев М.А.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Храмцов Е.С.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Гаврищук Е.М.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Иконников В.Б.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Тимофеева Н.А.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Берковиц В.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дикарева Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Рыков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Карлина Л.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Вершинин А.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Лаврухина Е.А.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Хомицкий Д.В.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Тележников А.В.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Котельников Е.Ю.
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
1
Фомичев С.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Бурдов В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Еремина А.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
1
Сюй А.В.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Якунин В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Грибакин Б.Ф.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Cronenberger S.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Scalbert D.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Владимирова М.Р.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Артеев Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Можаров А.М.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Минтаиров А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет Нотр Дам, Нотр Дам, Индиана, США 46556
1
Кононов А.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Чуфарова Н.А.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
1
Байбикова Д.Р.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Сердобинцев А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Адамов Р.Б.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Мелентьев Г.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Симаков В.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Асрян Л.В.
Политехнический институт и государственный университет штата Вирджиния, Блэксбург, США
1
Дунаевский М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бохан П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закревский Д.Э.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Малин Т.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Николаев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шерстнев Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Журавлев М.Н.
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
19
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
14
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
13
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
10
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
10
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
9
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
5
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
2
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Российский государственный аграрный университет --- МСХА им. К.А. Тимирязева, Москва, Россия
1
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева, Кемерово, Россия
1
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
1
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
1
ООО "Фокон", Калуга, Россия
1
Institut Neel CNRS, Grenoble, France
1
Japanese-French laboratory for Semiconductor Physics and Technology J-F AST, CNRS, Universite Grenoble Alpes, University of Tsukuba, Japan
1
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Россия
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
ООО АЕМ Технолоджис", Москва, Россия
1