Вышедшие номера
Общее количество статей:
10866
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
27
Распределение количества просмотров по годам:
877861
823049
793337
707099
610414
585010
536023
476583
572942
715383
710450
651508
652347
656121
635282
657763
682561
695304
606460
638337
599356
761474
774098
747979
719460
772519
783283
750731
722109
706506
610663
503189
348245
222840
124890
25040
741
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
130
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
28

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2023 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Комков О.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Игнатьев И.В.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданов С.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Комаров С.Д.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Радищев Д.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Дашков А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Горай Л.И.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Автономная некоммерческая организация высшего образования Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС", Санкт-Петербург, Россия
2
Костромин Н.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Буравлёв А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дьяков С.А.
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жолудев М.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Янцер А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Глуховской Е.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Вячеславова Е.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Илькив И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербин С.Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Andre R.
Universite Grenoble Alpes, CNRS, Institut Neel, Grenoble, France
2
Мухин И.С.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Стецюра С.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Ружевич М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Багаев Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Алексеев П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Рогачев И.А.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Терешкин Е.В.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Позднякова В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Черняков А.Е.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Карачинский Л.Я.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Ушанов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Cемягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Пархоменко Я.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Likhachev K.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
Uchaev M.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Breev I.D.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Белов В.С.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Гусаров Г.Г.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Лакалин А.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Литвинова К.И.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Печников А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чернов М.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Полушкин Е.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Россия
1
Нефедьев С.В.
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Россия
1
Солтанович О.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Перетокин А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Исаев В.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Литвяк В.М.
Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Чербунин Р.В.
Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Митягин Ю.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калядин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Симчук О.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шевлюга В.М.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Шицевалова Н.Ю.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Филипов В.Б.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Колобкова Е.В.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Герчиков Л.Г.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Казакин А.Н.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Нащекина Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт цитологии Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Заславский В.Ю.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сергеев А.C.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Germanenko A.V.
School of Natural Science and Mathematics, Ural Federal University, Ekaterinburg, Russia
1
Квон З.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Bouazza Abdelkader
L2GEGI Laboratory, University of Tiaret, Tiaret, Algeria
1
Максимова А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кацюба А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Красильникова Л.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Елисеев С.А.
Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Ефимов Ю.П.
Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Швец В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Кособукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хахулин С.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Ратушный В.И.
Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
1
Рыбальченко А.Ю.
Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
1
Харитонова П.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Гращенко А.С.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Философов Н.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Будкин Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Агекян В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Karczewski G.
Institute of Physics Polish Academy of Sciences, PL-02-668 Warsaw, Poland
1
Трофимов Р.Р.
Волгоградский государственный университет, Волгоград, Россия
1
Белоненко М.Б.
Волгоградский государственный университет, Волгоград, Россия
1
Смирнов A.H.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Маричев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Эполетов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пушный Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лихачев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
1
Пешков Я.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Черноусова О.В.
Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
1
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Климов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ремесник В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калмыков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мясоедов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Климко Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ушаков Д.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пашкевич М.Э.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Фатеев Н.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Стручков А.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Карабешкин К.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Карасев П.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Березуцкий А.В.
ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия
1
Микаелян Г.Т.
ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия
1
Таривердиев С.Д.
ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
53
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
19
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
14
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
13
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
10
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
10
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
9
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
5
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
2
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Российский государственный аграрный университет --- МСХА им. К.А. Тимирязева, Москва, Россия
1
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева, Кемерово, Россия
1
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
1
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
1
ООО "Фокон", Калуга, Россия
1
Institut Neel CNRS, Grenoble, France
1
Japanese-French laboratory for Semiconductor Physics and Technology J-F AST, CNRS, Universite Grenoble Alpes, University of Tsukuba, Japan
1
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Россия
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
ООО АЕМ Технолоджис", Москва, Россия
1