Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Комков О.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Игнатьев И.В.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданов С.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Комаров С.Д.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Радищев Д.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Дашков А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Горай Л.И.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Автономная некоммерческая организация высшего образования Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС", Санкт-Петербург, Россия
2
Костромин Н.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Буравлёв А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дьяков С.А.
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жолудев М.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Янцер А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Глуховской Е.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Вячеславова Е.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Илькив И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербин С.Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Andre R.
Universite Grenoble Alpes, CNRS, Institut Neel, Grenoble, France
2
Мухин И.С.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Стецюра С.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Ружевич М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Багаев Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Алексеев П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Лапин В.Г.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Лукашин В.М.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Карпов С.Н.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Лухмырина Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Петрушков М.О.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Васев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Нормуродов А.Б.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Сулайманов Н.Т.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Хугаев А.В.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Achour S.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Gupta Prateek
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Joshi Bhubesh C.
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Булярский С.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Николаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
1
Бутенко П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чикиряка А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Денисов К.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колодезный Е.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Жарова Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Захаров В.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Архипова Е.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кукушкин Ю.В.
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Шандыба Н.А.
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
1
Солодовник М.С.
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
1
Кумар Рави
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Яроцкая И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Корнышов Г.О.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Журкин В.С.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Божко А.Д.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Кудрявцев О.С.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Елисеев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колобкова Е.В.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Гавриков М.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Барышев В.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Егорова Е.Д.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Гинзбург Н.С.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Малкин А.М.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Касымов Ф.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Кодиров Н.У.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Исомиддинова У.М.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Уваров А.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Баранов А.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Калинников М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Абросимов Н.В.
Leibniz-Institut fur Kristallzuchtung (IKZ), Berlin, Germany
1
Чукеев М.А.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Храмцов Е.С.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Гаврищук Е.М.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Иконников В.Б.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Тимофеева Н.А.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Берковиц В.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дикарева Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Рыков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Карлина Л.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Вершинин А.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Лаврухина Е.А.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Хомицкий Д.В.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Тележников А.В.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Котельников Е.Ю.
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
1
Фомичев С.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Бурдов В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Еремина А.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
1
Сюй А.В.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Якунин В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Грибакин Б.Ф.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Cronenberger S.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Scalbert D.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Владимирова М.Р.
Laboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier, Montpellier, France
1
Артеев Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Можаров А.М.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Минтаиров А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет Нотр Дам, Нотр Дам, Индиана, США 46556
1
Кононов А.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Чуфарова Н.А.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
1
Байбикова Д.Р.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Сердобинцев А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Адамов Р.Б.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Мелентьев Г.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Симаков В.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Асрян Л.В.
Политехнический институт и государственный университет штата Вирджиния, Блэксбург, США
1
Дунаевский М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бохан П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закревский Д.Э.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Малин Т.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Николаев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шерстнев Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Журавлев М.Н.
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
1