Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Комков О.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Игнатьев И.В.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданов С.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Комаров С.Д.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Радищев Д.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Дашков А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Горай Л.И.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Автономная некоммерческая организация высшего образования Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС", Санкт-Петербург, Россия
2
Костромин Н.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Буравлёв А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дьяков С.А.
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жолудев М.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Янцер А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Глуховской Е.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Вячеславова Е.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Илькив И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербин С.Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Andre R.
Universite Grenoble Alpes, CNRS, Institut Neel, Grenoble, France
2
Мухин И.С.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Стецюра С.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Ружевич М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Багаев Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Алексеев П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Рогачев И.А.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Терешкин Е.В.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Позднякова В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Черняков А.Е.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Карачинский Л.Я.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Ушанов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Cемягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Пархоменко Я.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Likhachev K.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
Uchaev M.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Breev I.D.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Белов В.С.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Гусаров Г.Г.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Лакалин А.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Литвинова К.И.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Печников А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чернов М.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Полушкин Е.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Россия
1
Нефедьев С.В.
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Россия
1
Солтанович О.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Перетокин А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Исаев В.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Литвяк В.М.
Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Чербунин Р.В.
Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Митягин Ю.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калядин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Симчук О.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шевлюга В.М.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Шицевалова Н.Ю.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Филипов В.Б.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Герчиков Л.Г.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Казакин А.Н.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Нащекина Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт цитологии Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Заславский В.Ю.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сергеев А.C.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Germanenko A.V.
School of Natural Science and Mathematics, Ural Federal University, Ekaterinburg, Russia
1
Квон З.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Bouazza Abdelkader
L2GEGI Laboratory, University of Tiaret, Tiaret, Algeria
1
Кузнецова М.С.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Максимова А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кацюба А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Красильникова Л.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Елисеев С.А.
Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Ефимов Ю.П.
Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Швец В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Кособукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хахулин С.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Ратушный В.И.
Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
1
Рыбальченко А.Ю.
Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
1
Харитонова П.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Гращенко А.С.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Черников А.С.
Владимирский государственный университет им. А.Г. и Н.Г. Столетовых, Владимир, Россия
1
Философов Н.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Будкин Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Агекян В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Karczewski G.
Institute of Physics Polish Academy of Sciences, PL-02-668 Warsaw, Poland
1
Трофимов Р.Р.
Волгоградский государственный университет, Волгоград, Россия
1
Белоненко М.Б.
Волгоградский государственный университет, Волгоград, Россия
1
Смирнов A.H.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Маричев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Эполетов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пушный Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лихачев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
1
Пешков Я.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Черноусова О.В.
Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
1
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Климов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Попова И.О.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Ремесник В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калмыков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мясоедов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Климко Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ушаков Д.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фатеев Н.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Стручков А.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Карабешкин К.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Березуцкий А.В.
ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия
1
Микаелян Г.Т.
ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия
1
Таривердиев С.Д.
ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия
1