Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Басалаев Ю.М.
Российский государственный аграрный университет --- МСХА им. К.А. Тимирязева, Москва, Россия
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Дугинова Е.Б.
Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева, Кемерово, Россия
1
Басалаева О.Г.
Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия
1
Борздов В.М.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Борздов А.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Василевский Ю.Г.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Пашковский А.Б.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Богданов С.А.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Лапин В.Г.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Лукашин В.М.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Карпов С.Н.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Рогачев И.А.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Терешкин Е.В.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Позднякова В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сорокина С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Потапович Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Закгейм А.Л.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Климов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кунков Р.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лухмырина Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Черняков А.Е.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Токарев А.С.
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Лапшина О.А.
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Козырев А.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Бабичев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Комаров С.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Ткач Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Гладышев А.Г.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Карачинский Л.Я.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ушанов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Касаткин И.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Петрушков М.О.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Васев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Cемягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пархоменко Я.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалимова М.Б.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Белянина И.В.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Ташметов М.Ю.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Махкамов Ш.М.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Умарова Ф.Т.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Нормуродов А.Б.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Сулайманов Н.Т.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Хугаев А.В.
Институт ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Холмедов Х.М.
Ташкентский университет информационных технологий им. аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан
1
Likhachev K.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Laboratory for diagnostics of carbon materials and spin-optical phenomena at wide-bandgap semiconductors, Northern (Arctic) Federal University, Arkhangelsk, Russia
1
Uchaev M.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
School of Physics and Engineering, ITMO University, St. Petersburg, Russia
1
Breev I.D.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Ankudinov A.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Babunts R.A.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Baranov P.G.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Kidalov S.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской акаадемии наук, Новосибирск, Россия
1
Chetibi L.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Hamana D.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Achour S.
Laboratory of Advanced Materials Technology, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine and Phases transformations Laboratory, University of Constantine 1, Algeria
1
Gupta Prateek
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Joshi Bhubesh C.
Department of Physics and Material Science and Engineering, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India
1
Булярский С.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Белов В.С.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Гусаров Г.Г.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Лакалин А.В.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Литвинова К.И.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Орлов А.П.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1