Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Первопринципное исследование электронных, колебательных и упругих свойств кристаллов LiInTe₂ и LiTlTe₂

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54924.4131

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55888.4131

Басалаев Ю.М.

^1,2, Дугинова Е.Б.

³, Басалаева О.Г.

¹Кемеровский государственный медицинский университет, Кемерово, Россия Kemerovo State Medical University, Kemerovo, Russia

²Российский государственный аграрный университет --- МСХА им. К.А. Тимирязева, Москва, Россия Russian State Agrarian University Timiryazev Moscow Agricultural Academy, Moscow, Russia

Russian State Agrarian University Timiryazev Moscow Agricultural Academy, Moscow, Russia

³Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева, Кемерово, Россия T. F. Gorbachev Federal State Budgetary Educational Institution of Higher Education, Kemerovo, Russia

T. F. Gorbachev Federal State Budgetary Educational Institution of Higher Education, Kemerovo, Russia

Email: ymbas@mail.ru

Поступила в редакцию: 17 декабря 2022 г.

В окончательной редакции: 27 января 2023 г.

Принята к печати: 30 января 2023 г.

Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью метода подрешеток и теории функционала плотности впервые изучено электронное строение кристалла LiTlTe₂ со структурой халькопирита и вычислены равновесные параметры кристаллической решетки a=6.7526 Angstrem, c=13.3037 Angstrem, u(Te)=0.2423. Установлено, что валентные зоны кристалла LiTlTe₂ и его ближайшего аналога LiInTe₂ по топологии фактически совпадают, а кристалл LiTlTe₂ является прямозонным полупроводником, с шириной запрещенной зоны 0.63 эВ и кристаллическим расщеплением 0.04 эВ. Проанализированы парциальные вклады плотности состояний и выявлены особенности формирования валентной зоны и зоны проводимости кристаллов LiInTe₂ и LiTlTe₂ за счет вкладов их подрешеток: структура валентных зон обоих кристаллов полностью определяется взаимодействием в катионных тетраэдрах InTe₄ и TlTe₄. Вычислены колебательные моды и упругие постоянные, подтверждающие устойчивость и механическую стабильность кристалла LiTlTe₂. Ключевые слова: LiInTe₂, LiTlTe₂, халькопирит, электронное строение, подрешетка.

Z.Z. Kish, E.Yu. Peresh, V.B. Lazarev, E.E. Semrad. Inorg. Mater., 23, 697 (1987)
W. Honle, G. Kuhn, H. Neumann. Z. Anorg. Allgem. Chem., 532, 150 (1986)
J. Kim, T. Hughbanks. Inorg. Chem., 39, 3092 (2000)
L. Isaenko, P. Krinitsin, V. Vedenyapin, A. Yelisseyev, A. Merkulov, J.J. Zondy, V. Petrov. Cryst. Growth Des., 5, 1325 (2005)
L. Isaenko, I. Vasilyeva, A. Merkulov, A. Yelisseyev, S. Lobanov. J. Cryst. Growth, 275, 217 (2005)
N. Abdelmohsen, H.H.A. Labib, A.H. Abou El Ela, S. Elsayed. Appl. Phys. A, 48, 251 (1989)
O. Uemura, T. Akai, Y. Kameda, T. Satow. Phys. Status Solidi A, 112, 467 (1989)
J. Ruan, S.-K. Jian, D. Zhang, H. Yao, H. Zhang, S.-C. Zhang, D. XingPhys. Rev. Lett., 116, 226801 (2016)
W. Feng, D. Xiao, J. Ding, Y. Yao. Phys. Rev. Lett., 106, 016402 (2011)
V.V. Atuchin, F. Liang, S. Grazhdannikov, L.I. Isaenko, P.G. Krinitsin, M.S. Molokeev, I.P. Prosvirin, X. Jiang, Z. Lin. RSC Advances, 8, 9946 (2018)
A.V. Kosobutsky, Yu.M. Basalaev, A.S. Poplavnoi. Phys. Status Solidi B, 246, 364 (2009)
Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, Е.Б. Китова, А.С. Поплавной. ЖСХ, 48, 1067 (2007)
Ю.М. Басалаев, П.В. Демушин. ЖCХ, 51, 1225 (2010)
Ю.М. Басалаев, Е.В. Дугинов, Е.Б. Дугинова. Успехи соврем. eстествознания, 11 (2), 199 (2018)
R. Dovesi, A. Erba, R. Orlando, C. Zicovich-Wilson, B. Civalleri, L. Maschio, M. Rerat, S. Casassa, J. Baima, S. Salustro, B. Kirtman. Comput. Mol. Sci., 8, e1360 (2018)
S. Baroni, S. de Gironcoli, A. Dal Corso, P. Giannozzi. Rev. Mod. Phys., 73, 515 (2001)
J.E. Jaffe, A. Zunger. Phys. Rev. B, 29, 1882 (1984)
Ю.М. Басалаев. ЖСХ, 57, 15 (2016)
W. Setyawan, S. Curtarolo. Comput. Mater. Sci., 49, 299 (2010)
Y. Tian, B. Xu, Z. Zhao. Int. J. Refract. Met. Hard Mater., 33, 93 (2012)
L. Isaenko, A. Yelisseyev, S. Lobanov, P.G. Krinitsin, V. Petrov, J.-J. Zondy. J. Non-Cryst. Sol., 352, 2439 (2006)
L. Bai, Z.S. Lin, Z.Z. Wang, C.T. Chen. J. Appl. Phys., 103, 083111 (2008)
A.H. Reshak, S. Auluck, I.V. Kityk, Y. Al-Douri. Appl. Phys. A, 94, 315 (2009)
L.-H. Li, J.-Q. Li, L.-M. Wu. J. Solid State Chem., 181, 2462 (2008)
C.-G. Ma, M.G. Brik. Solid State Commun., 203, 69 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель