Вышедшие номера
Начальные стадии роста слоя GaN(11\=22) на наноструктурированной подложке Si(113)
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Родин С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 15 ноября 2022 г.
Принята к печати: 26 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярного GaN(1122) слоя при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках Si(113), на поверхности которых сформированы U-образные канавки с размером элементов <100 нм (подложка-NP-Si(113)). Установлено, что NP-Si(113) подложки с буферным слоем AlN стимулируют формирование островков, ограненных плоскостями m-GaN, c-GaN. Показано, что наблюдается преимущественный рост грани m-GaN по сравнению с c-GaN. Экспериментальные результаты соответствуют принципу отбора Гиббса-Кюри-Вульфа, но с учетом упругих напряжений в плоскости c-GaN. Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, нано-структурированная подложка, кремний.