Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Начальные стадии роста слоя GaN(11\=22) на наноструктурированной подложке Si(113)

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54923.3994

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55614.3994

Бессолов В.Н.¹, Коненкова Е.В.¹, Родин С.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: lena@triat.mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 8 августа 2022 г.

В окончательной редакции: 15 ноября 2022 г.

Принята к печати: 26 декабря 2022 г.

Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярного GaN(1122) слоя при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках Si(113), на поверхности которых сформированы U-образные канавки с размером элементов <100 нм (подложка-NP-Si(113)). Установлено, что NP-Si(113) подложки с буферным слоем AlN стимулируют формирование островков, ограненных плоскостями m-GaN, c-GaN. Показано, что наблюдается преимущественный рост грани m-GaN по сравнению с c-GaN. Экспериментальные результаты соответствуют принципу отбора Гиббса-Кюри-Вульфа, но с учетом упругих напряжений в плоскости c-GaN. Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, нано-структурированная подложка, кремний.

T. Wang. Semicond. Sci. Technol., 31, 093003 (2016)
D. Zhu, D.J. Wallis, C.J. Humphreys. Rep. Progr. Phys., 76, 106501 (2013)
A. Dadgar, J. Blasing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, A. Krost. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L1183 (2000)
H. Ibach, H.D. Bruchmann, H. Wagner. Appl. Phys. A, 29, 113 (1982)
M. Khoury, O. Tottereau, G. Feuillet, P. Vennegues, J. Zuniga-Perez. J. Appl. Phys., 122, 105108 (2017)
R. Mantach, P. Vennegues, J. Zuniga Perez, P. DeMierry, M. Leroux, M. Portail, G. Feuillet. J. Appl. Phys., 125, 035703 (2019)
N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki. J. Cryst. Growth, 311, 2875 (2009)
Y. Cai, X. Yu, S. Shen, X. Zhao, L. Jiu, C. Zhu, J. Bai, T. Wang. Semicond. Sci. Technol., 34, 045012 (2019)
H.-J. Lee, S.-Y. Bae, K. Lekhal, A. Tamura, T. Suzuki, M. Kushimoto, Y. Hond, H. Amano. J. Cryst. Growth, 468, 547 (2016)
H. Li, H. Zhang, J. Song, P. Li, Sh. Nakamura, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Rev., 7, 041318 (2020)
J. Bruckbauer, C. Trager-Cowan, B. Hourahine, A. Winkelmann, Ph. Vennegues, A. Ipsen, X. Yu, X. Zhao, M.J. Wallace, P.R. Edwards, G. Naresh-Kumar, M. Hocker, S. Bauer, R. Mu ller, J. Bai, K. Thonke, T. Wang, R.W. Martin. J. Appl. Phys., 127, 035705 (2020)
В.Н. Бессолов. Е.В. Коненкова, С.Н. Родин, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов. ФТП, 55 (4), 356 (2021)
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, А.В. Соломникова. ЖТФ, 92 (5), 720 (2022)
В.Н. Бессолов, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, С.Н. Родин. Изв. РАН. Сер. физ., 86(7), 981 (2022)
K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, T. Maeda. J. Cryst. Growth, 221, 316 (2000)
G. Feng, Y. Fu, J.S. Xia, J.J. Zhu, B.S. Zhang, X.M. Shen, D.G. Zhao, H. Yang, J.W. Liang. J. Phys. D, 35, 2731 (2002)
Б.К. Вайнштейн, А.А.Чернов, Л.А.Шувалов. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов (М., Наука, 1980) с. 408
I.Sunagawa. Crystals Growth, Morphology, and Perfection (Cambridge University Press, N. Y., USA, 2005)
T. Akiyama, Y. Seta, K. Nakamura, T. Ito. Phys. Rev. Mater., 3, 023401 (2019)
M. Razia, M. Chugh, M. Ranganathan. Appl. Surf. Sci., 566, 150627 (2021)
K. Wang, R. Kirste, S. Mita, Sh. Washiyama, W. Mecouch, P. Reddy, R. Collazo, Z. Sitar. Appl. Phys. Lett., 120, 032104 (2022)
T.J. Baker, B.A. Haskell, F. Wu, P.T. Fini, J.S. Speck, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 44, L920 (2005)
C. Liu, S. Stepanov, P.A. Shields, A. Gott, W.N. Wang, E. Steimetz, J.-T. Zettler. Appl. Phys. Lett., 88, 101103 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель