Вышедшие номера
Общее количество статей:
10857
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
18
Распределение количества просмотров по годам:
850490
797819
765974
682707
589074
566249
518547
460687
555307
694341
690156
632404
632682
636458
616249
638304
662821
673976
587897
619588
581866
739677
752252
727778
699085
751445
762692
731476
702510
685569
588375
480642
328755
206044
109472
16735
1251
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2013 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Блохин С.А.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Буравлев А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гавриленко В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Werner P.
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle(Saale), Germany
4
Бобров А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вывенко О.Ф.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Малеев Н.А.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Трошков С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карпова С.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Palmour J.W.
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коновалов Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Абрамов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Васильев Р.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хребтов А.И.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Честа О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Емельянов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Орехов Д.Л.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шварц М.З.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Толбанов О.П.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Новиков А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Иванов Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Витухновский А.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Забродский В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехничесий университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аруев П.Н.
Санкт-Петербургский государственный политехничесий университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Забродская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лазеева М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Филимонов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерстнев Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ярыкин Н.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Weber J.
Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
2
Лошаченко А.С.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Добровольский А.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Румянцева М.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2
Гаськов А.М.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2
Абдуллаев Н.А.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Анисимова Н.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Бордовский В.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Алисултанов З.З.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Кузьменков А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Павлов М.М.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пушкарев С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Имамов Р.М.
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2
Курило И.В.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Коротченков О.А.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
2
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бахвалов К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серебренникова О.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клочко Н.П.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Киев, Украина
2
Копач В.Р.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Киев, Украина
2
Хрипунов Г.С.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Киев, Украина
2
Калыгина В.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Зарубин А.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Новиков В.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Петрова Ю.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Тяжев А.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Цупий С.Ю.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Яскевич Т.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Ромака В.А.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2
Rogl P.
Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
2
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Hlil E.K.
Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2
Крайовский В.Я.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Батырев А.С.
Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брус В.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Марьянчук П.Д.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Шеремет В.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Петров П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербицкий В.Н.
ООО "Хевел", Москва, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершенко Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калинина К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Форш П.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Грачев Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Вайнштейн Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 116, Kaohsiung 802, Taiwan
2
Коренев В.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Крылов П.Н.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Закирова Р.М.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Федотова И.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Безнасюк Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулакова Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алексеев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Климко Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Талалаев В.Г.
Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, Halle, Germany
2
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сабликов В.А.
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Дикарева Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Баранов А.Н.
Institut d'Electronique du Sud, Universite Montpellier 2, Montpellier Cedex 5, France
2
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьмин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щукин В.А.
VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заморянская М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шустов Д.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иконников А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Ващенко А.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Бычковский Д.Н.
ООО "ОПТОГАН-ОСР ", Санкт-Петербург, Россия
2
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Копьёв П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 29, Санкт-Петербург, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 29, Санкт-Петербург, Россия
2
Винниченко М.Я.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 29, Санкт-Петербург, Россия
2
Курова Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бурдов В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Вихрова О.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Малехонова Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кривулин Н.О.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шиляев П.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Покутний С.И.
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, Киев, Украина
2
Канева Н.В.
Софийский университет, София, Болгария
2
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
97
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
20
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
16
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
15
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
13
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
13
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
11
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
10
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
6
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
6
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
6
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
6
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
5
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
4
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
4
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
3
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Institut d'Electronique Fondamentale UMR CNRS, University Paris Sud 11, Orsay Cedex, France
2
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
2
Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2
Софийский университет, София, Болгария
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2