Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1-xSb из спектров отражения
Комков О.С.1, Фирсов Д.Д.1, Семенов А.Н.2, Мельцер Б.Я.2, Трошков С.И.2, Пихтин А.Н.1, Иванов С.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Реализован неразрушающий метод измерения толщин эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxIn1-xSb на основе интерференционных эффектов в спектрах отражения, измеренных в широком диапазоне длин волн (1-28 мкм). Исследованные слои AlxIn1-xSb толщиной 0.9-3.3 мкм выращены на сильно рассогласованных по периоду решетки подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Полученные значения толщин продемонстрировали хорошее согласие с независимыми данными растровой электронной микроскопии. Спектральная зависимость показателя преломления n(E) слоев AlxIn1-xSb измерена как в области прозрачности, так и в области фундаментального поглощения. Показатель преломления для случая E<E0 рассчитывался по двухосцилляторной модели, с использованием уточненной экспериментальной зависимости энергии ширины запрещенной зоны от состава E0(x). Экспериментальные данные n(E) AlxIn1-xSb для энергий E>E0 получены на основе интерференционной картины.
- В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
- J.V. Armstrong, T. Farrell, T.B. Joyce, P. Kightley, T.J. Bullough, P.J. Goodhew. J. Cryst. Growth 120, 84 (1992)
- S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors (Boston, Kluwer Academic Publishers, 1999)
- R.T. Holm. Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (San Diego, Academic Press, 1998) p. 491
- S. Adachi. Physical properties of III-V semiconductor compounds (N.Y., Wiley, 1992)
- M. Linnik, A. Christou. Physica B, 318, 140 (2002)
- А.Н. Семёнов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьёв, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379 (2011)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5831 (2001)
- О.С. Комков, А.Н. Семёнов, Д.Д. Фирсов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьёв, Т.В. Попова, А.Н. Пихтин, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1481 (2011)
- А.Н. Пихтин. Квантовая и оптическая электроника (М., Абрис, 2012) гл. 4, с. 259
- D.S. Gerber, G.N. Maracas. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2589 (1998)
- А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1988)
- А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 12, 1047 (1978)
- O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.N. Pikhtin, A.N. Semenov, B.Ya. Meltzer, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. AIP Conf. Proc., 1416, 184 (2011)
- T.S. Moss, S.D. Smith, T.D.F. Hawkins. Proc. Phys. Soc. (London), 70B, 776 (1957)
- H.R. Philipp, H. Ehrenreich. Phys. Rev., 129, 1550 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
