"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1-xSb из спектров отражения
Комков О.С.1, Фирсов Д.Д.1, Семенов А.Н.2, Мельцер Б.Я.2, Трошков С.И.2, Пихтин А.Н.1, Иванов С.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Реализован неразрушающий метод измерения толщин эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxIn1-xSb на основе интерференционных эффектов в спектрах отражения, измеренных в широком диапазоне длин волн (1-28 мкм). Исследованные слои AlxIn1-xSb толщиной 0.9-3.3 мкм выращены на сильно рассогласованных по периоду решетки подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Полученные значения толщин продемонстрировали хорошее согласие с независимыми данными растровой электронной микроскопии. Спектральная зависимость показателя преломления n(E) слоев AlxIn1-xSb измерена как в области прозрачности, так и в области фундаментального поглощения. Показатель преломления для случая E<E0 рассчитывался по двухосцилляторной модели, с использованием уточненной экспериментальной зависимости энергии ширины запрещенной зоны от состава E0(x). Экспериментальные данные n(E) AlxIn1-xSb для энергий E>E0 получены на основе интерференционной картины.
  1. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  2. J.V. Armstrong, T. Farrell, T.B. Joyce, P. Kightley, T.J. Bullough, P.J. Goodhew. J. Cryst. Growth 120, 84 (1992)
  3. S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors (Boston, Kluwer Academic Publishers, 1999)
  4. R.T. Holm. Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (San Diego, Academic Press, 1998) p. 491
  5. S. Adachi. Physical properties of III-V semiconductor compounds (N.Y., Wiley, 1992)
  6. M. Linnik, A. Christou. Physica B, 318, 140 (2002)
  7. А.Н. Семёнов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьёв, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379 (2011)
  8. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5831 (2001)
  9. О.С. Комков, А.Н. Семёнов, Д.Д. Фирсов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьёв, Т.В. Попова, А.Н. Пихтин, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1481 (2011)
  10. А.Н. Пихтин. Квантовая и оптическая электроника (М., Абрис, 2012) гл. 4, с. 259
  11. D.S. Gerber, G.N. Maracas. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2589 (1998)
  12. А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1988)
  13. А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 12, 1047 (1978)
  14. O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.N. Pikhtin, A.N. Semenov, B.Ya. Meltzer, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. AIP Conf. Proc., 1416, 184 (2011)
  15. T.S. Moss, S.D. Smith, T.D.F. Hawkins. Proc. Phys. Soc. (London), 70B, 776 (1957)
  16. H.R. Philipp, H. Ehrenreich. Phys. Rev., 129, 1550 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.