Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом

Протасов Д.Ю.¹, Малин Т.В.¹, Тихонов А.В.¹, Цацульников А.Ф.², Журавлев К.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

PDF версия

Исследованы температурные и концентрационные зависимости подвижности электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN. В исследуемых образцах подвижность при T=300 K лежала в диапазоне 450-1740 см²/(В · с). Установлено, что для образцов с малой подвижностью (менее 1000 см²/(В · с)) вплоть до комнатных температур доминирует рассеяние на заряженных центрах, связанных с неупорядоченным пьезоэлектрическим зарядом на гетерогранице вследствие ее шероховатости либо с пьезоэлектрическим зарядом - как в барьере Al-GaN вследствие неоднородности сплава, так и в деформационном поле вокруг дислокаций. Для образцов с подвижностью, превышающей 1000 см²/(В · с), при T=300 K доминирует рассеяние на оптических фононах. При температурах менее 200 K доминирует рассеяние на неоднородности сплава, шероховатостях гетерограницы и дислокациях. Уменьшение влияния рассеяния на шероховатостях при улучшении морфологии гетерограницы увеличивает подвижность с 1400 см²/(В · с) до 1700 см²/(В · с) при комнатной температуре.

H. Morcoc. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (N.Y., Wiley-VCH, 2008) v. 1
O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, J. Hilsenbeck. J. Appl. Phys., 85 (6), 3222 (1999)
M.S. Miao, J.R. Weber, C.G. Van de Walle. J. Appl. Phys., 107, 123 713 (2010)
M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B.L. Swenson, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 97, 222 104 (2010)
J. Bernat, J. Javorka, A. Fox, M. Marso, H. Luth, P. Kordov s. Sol. St. Electron., 47, 2097 (2003)
J. Antoszewski, M. Gracey, J.M. Dell, L. Faraone, T.A. Fisher, G. Parish, Y.-F. Wu, U.K. Mishra. J. Appl. Phys., 87 (8), 3900 (2000)
D.N. Quang, V.N. Tuoc, N.H. Tung Vu, N.V. Minh, P.N. Phong. Phys. Rev. B, 72, 245 303 (2005)
Wang Yan, Shen Bo, Xu Fu-Jun, Huang Sen, Miao Zhen-Lin, Lin Fang, Yang Zhi-Jian, Zhang Guo-Yi. Chinese Physics B, 18 (5), 2002 (2009)
D. Jena, A.C. Gossard, U.K. Mishra. J. Appl. Phys., 88 (8), 4734 (2000)
D. Jena, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 80 (1), 64 (2002)
M.N. Gurusinghe, S.K. Davidsson, T.G. Andersson. Phys. Rew. B, 72, 045 316 (2005)
S.B. Lisesivdin, S. Acar, M. Kasap, S. Ozcelik, S. Gokden, E. Ozbay. Semicond. Sci. Technol., 22, 543 (2007)
X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 046 204 (2007)
M.J. Manfra, K.W. Baldwin, A.M. Sergent, R.J. Molnar, J. Caissie. Appl. Phys. Lett., 85 (10), 1722 (2004)
D. Zanato, S. Gokden, N. Balkan, B.K. Ridley, W.J. Schaff. Semicond. Sci. Technol., 19, 427 (2004)
L. Hsu, W. Walukiewicz. Phys. Rev. B, 56 (3), 1520 (1997)
В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов. ФТП, 38 (6), 705 (2004)
Б.М. Аюпов, С.Ф. Девятова, В.Г. Ерков, Л.А. Семенова. Микроэлектроника, 37 (2), 141 (2008)
J.H. Davies. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction (Cambridge University Press, 1998)
B.L. Gelmont, M. Shur, M. Stroscio. J. Appl. Phys., 77 (2), 657 (1995)
K. Hirakawa, H. Sakaki. Phys. Rew. B, 33 (12), 8291 (1986)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985). [Пер. с англ.: Т. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, (2), (1982)]
W. Walukiewicz, H.E. Ruda, J. Lagowski, H.C. Gatos. Phys. Rew. B, 30 (8), 4571 (1984)
Debdeep, A.C. Gossard, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 76 (13), 1707 (2000)
A.V. Tikhonov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev, L. Dobos, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 338 (1), 30 (2012)
Т.Е. Шуп. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство (М., Мир, 1982)
И.В. Антонова, В.И. Поляков, А.И. Руковишников, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев. ФТП, 42 (1), 53 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель