Впервые методом градиентной сканирующей кельвин-зонд микроскопии были исследованы p-n-гетеропереходы на основе узкозонных соединений в системе твердых растворов In-As-Sb-P. На примере одиночной гетероструктуры II типа p-InAsSbP/n-InAs было продемонстрировано перераспределение потока инжектируемых носителей в образце вдоль направления внешнего электрического поля. При приложении к гетероструктуре прямого смещения наблюдалась двухполосная люминесценция - интерфейсная на гетерогранице p-InAsSbP/p-InAs и объемная в арсениде индия. При этом было показано, что непрямые (интерфейсные) переходы демонстрировали большую эффективность излучательной рекомбинации, чем прямые межзонные. Наблюдение многополосных спектров электролюминесценции открывает путь к созданию многоцветных светодиодов для среднего инфракрасного диапазона 3-5 мкм на основе одной гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.