Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах

Самосват Д.М.¹, Евтихиев В.П.¹, Школьник А.С.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

PDF версия

Экспериментально и теоретически изучено время жизни неравновесных носителей заряда в квантовой точке. Показано, что при низких температурах, когда полностью заполнено основное состояние, время жизни практически не зависит от плотности возбуждения и определяется только процессом излучательной рекомбинации. Дано теоретическое объяснение такого поведения и показано, что при условии полного заполнения основного состояния процесс оже-рекомбинации может быть подавлен за счет влияния спиновых эффектов. Проведено микроскопическое описание механизма подавления процесса оже-рекомбинации в такой системе.

Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 38, 1 (2004)
Г.Г. Зегря. Письма ЖТФ, 32 (4), 600 (2006)
A.S. Shkolnik, V.P. Evtihiev, G.G. Zegrya. Techn. Phys. Lett., 32, 51 (2006)
C.W. Warren, M. Chan, Nie Shumin. Sciences, 281, 2016 (1998)
X. Michalet, F.F. Pihaud, L.A. Bentolila, J.M. Tsay, S. Doose, J.J. Li, G. Sundaresan, A.M. Wu, S.S. Gambhir, S. Weiss. Science, 307, 538 (2005)
Gao Xiaohu, Cui Yuanyuan, R.M. Levenson, W.K. Leland Chung, Nie Shuming. Nature Biotechology, 22 (8), 969 (2004)
Г.Г. Зегря, Д.М. Самосват. ЖЭТФ, 131 (6), 1090 (2007)
К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин и др. Введение в физику поверхности, под ред. В.И. Сергиенко (М., Наука, 2006)
В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32, 860 (1998)
A.S. Shkolnik, L.Ya. Karachinsky, N.Yi. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, S. Pellegrini, G.S. Buller. Appl. Phys. Lett., 86, 211 112 (2005)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика (М., Физматлит, 2001)
Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП, 21, 866 (1987)
Г.Г. Зегря. Автореф. докт. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель