"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
Львова Т.В.1, Дунаевский М.С.1, Лебедев М.В.1, Шахмин А.Л.2, Седова И.В.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петребургский государственный политехнический университет Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии проведен анализ элементного состава и электронно-энергетической структуры как естественно окисленной поверхности подложек InSb (100), так и подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия. Установлено, что в результате обработки в 1 М водном растворе Na2S и последующем отжиге в вакууме при температуре 150oC происходит полное удаление поверхностного слоя комплексных оксидов сурьмы и индия нестехиометрического состава с образованием сплошного хемосорбированного слоя атомов серы, когерентно-связанного с атомами индия. Согласно данным атомно-силовой микроскопии, в процессе сульфидной пассивации не происходит травления основного материала подложки. Обнаружен сдвиг (на 0.37 эВ) линии объемной фотоэмиссии In-Sb в сторону больших энергий связи, что свидетельствует о сдвиге поверхностного уровня Ферми в глубь зоны проводимости.
  1. N. Kuze, l. Shibasaki. III-Vs Review, 10, 28 (1997)
  2. P.J. Treado, I.W. Levin, E.N. Lewis, Appl. Spectroscopy, 48, 607 (1994)
  3. T. Ashley, L. Buckle, S. Dutta et al. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
  4. F.L. Lie, A.J. Muscat. J. Phys. Chem. C, 115,7440 (2011)
  5. L. Haworth, J. Lu, D.I. Westwood, J.E. MacDonald. Appl. Surf. Sci., 166, 253 (2000)
  6. R. Tessler, C. Saguy, O. Klin, S. Greenberg, E. Weiss, R. Akhvlediani, R. Edrei, A. Hoffman. Appl. Phys. Lett., 88, 031 918 (2006)
  7. S.R. Vangala, H. Dauplaise, C. Sateufemio, C. Lynch, P. Alcorn, L.P. Allen, G. Dallas, K. Vaccaro, D. Bliss, W.D. Goodhue. CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA
  8. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
  9. T.V. L'vova, I.V. Sedova, V.P. Ulin, S.V. Sorokin, V.A. Solov'ev, A.A. Sitnikova, V.L. Berkovits, S.V. Ivanov. Vacuum, 57, 163, (2000)
  10. D.Y. Petrovykh, M.J. Yang, L.J. Whitman. Surf. Sci., 523, 231, (2003)
  11. Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский, С.В. Иванов, А.Н. Карпенко, И.В. Седова, В.П. Улин. ФТТ, 51, 6, (2009)
  12. S. Ichikawa, Y. Suzuki, N. Sanada, N. Utsumi, T. Yamaguchi, X.Y. Gong , Y. Fukuda. J. Vac. Technol. A, 17 (2), 421 (1999)
  13. M.V. Lebedev, M. Shimomura, Y. Fukuda. Surface and Interface Analysis, 42, 791 (2010)
  14. D.M. Zhemokletov, H. Dong, B. Brennan, J. Kim, R.M. Wallace, J. Vac. Sci. Technol. B, 30, 04E103 (2012)
  15. P.D.C. King, T.D. Veal, M.J. Lowe, C.F. McConville. J Appl. Phys., 104 , 083 709 ( 2008)
  16. S.D. Gardner, C.S.K. Singamsetty, G.L. Booth, G.-R. He, C.U. Pittman, jr. Carbon, 33, 587 (1995)
  17. V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.F. Shakia shvili, V.P. Ulin, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 63, 970, (1993)
  18. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.